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BFP720FESD	文件：1.94228 Mbytes Page：29 Pages	Robust High Performance Low Noise Bipolar RF Transistor 文件：1.94228 Mbytes 頁數(shù)：29 Pages	INFINEON 英飛凌	INFINEON
BFP720FESD	文件：1.63823 Mbytes Page：28 Pages	Robust Low Noise Silicon Germanium Bipolar RF Transistor 文件：1.63823 Mbytes 頁數(shù)：28 Pages	INFINEON 英飛凌	INFINEON
BFP720FESD_12	文件：1.63823 Mbytes Page：28 Pages	Robust Low Noise Silicon Germanium Bipolar RF Transistor 文件：1.63823 Mbytes 頁數(shù)：28 Pages	INFINEON 英飛凌	INFINEON
BFP720FESD	文件：300 bytes Page：1 Pages	低噪聲RF 管基 BFP720FESD 是硅鍺碳 (SiGe:C) NPN 異質(zhì)結(jié)寬帶雙極射頻晶體管 (HBT)，具有集成 ESD 保護功能 ? 高端 RF 性能與穩(wěn)健性的獨特組合：21 dBm 最大 RF 輸入功率，2 kV HBM ESD 硬度。\n? 高增益 Gms = 22 dB（5.5 GHz、3V、15 mA）\n? 薄型小尺寸無引線封裝;	Infineon 英飛凌	Infineon
BFP720FESDH6327XTSA1	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：4-SMD，扁平引線；包裝：托盤類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻描述：RF TRANS NPN 4.7V 45GHZ 4TSFP	INFINEON 英飛凌	INFINEON

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更多BFP720FESD供應(yīng)商更新時間2026-1-17 16:01:00