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首頁(yè) >BFP196>規(guī)格書列表

型號(hào)	下載訂購(gòu)	功能描述	制造商上傳企業(yè)	LOGO
BFP196_07	文件：79.52 Kbytes Page：7 Pages	NPN Silicon RF Transistor 文件：79.52 Kbytes 頁(yè)數(shù)：7 Pages	INFINEON 英飛凌	INFINEON
BFP196_14	文件：557.21 Kbytes Page：6 Pages	Low Noise Silicon Bipolar RF Transistor 文件：557.21 Kbytes 頁(yè)數(shù)：6 Pages	INFINEON 英飛凌	INFINEON
BFP196W	文件：83.26 Kbytes Page：7 Pages	NPN Silicon RF Transistor 文件：83.26 Kbytes 頁(yè)數(shù)：7 Pages	INFINEON 英飛凌	INFINEON
BFP196W	文件：552.02 Kbytes Page：6 Pages	Low Noise Silicon Bipolar RF Transistor 文件：552.02 Kbytes 頁(yè)數(shù)：6 Pages	INFINEON 英飛凌	INFINEON
BFP196W_07	文件：83.26 Kbytes Page：7 Pages	NPN Silicon RF Transistor 文件：83.26 Kbytes 頁(yè)數(shù)：7 Pages	INFINEON 英飛凌	INFINEON
BFP196W_14	文件：552.02 Kbytes Page：6 Pages	Low Noise Silicon Bipolar RF Transistor 文件：552.02 Kbytes 頁(yè)數(shù)：6 Pages	INFINEON 英飛凌	INFINEON
BFP196WN	文件：300 bytes Page：1 Pages	高線性度RF 管基 NPN 硅平面外延晶體管，采用 4 引腳雙發(fā)射極 SOT343 封裝，適用于低噪聲和低失真寬帶放大器。該射頻晶體管受益于英飛凌在射頻元件領(lǐng)域的長(zhǎng)期經(jīng)驗(yàn)，結(jié)合了易用性和穩(wěn)定的批量生產(chǎn)，具有基準(zhǔn)質(zhì)量和可靠性。 ? 適用于高壓應(yīng)用，VCE < 12 V\n? 轉(zhuǎn)換頻率 fT = 7.5 GHz\n? 易于使用，無(wú)鉛（符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)）和無(wú)鹵素行業(yè)\n? 帶可見引線的標(biāo)準(zhǔn) SOT343 封裝;	Infineon 英飛凌	Infineon
BFP196WNH6327XTSA1	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：SC-82A，SOT-343；包裝：卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻描述：RF TRANS NPN 12V 7.5GHZ SOT343-4	INFINEON 英飛凌	INFINEON

晶體管資料

型號(hào)：
BFP196
別名：
三極管、晶體管、晶體三極管
生產(chǎn)廠家：
制作材料：
Si-NPN
性質(zhì)：
表面帖裝型（SMD）_超高頻/特高頻（UHF）_寬頻帶
封裝形式：
貼片封裝
極限工作電壓：
20V
最大電流允許值：
0.1A
最大工作頻率：
8GHZ
引腳數(shù)：
4
可代換的型號(hào)：
2SC2367,
最大耗散功率：
放大倍數(shù)：
圖片代號(hào)：
H-17
vtest：
20
htest：
8000000000
atest：
0.1
wtest：
0

技術(shù)參數(shù)

ICmax：
150 mA
NFmin：
1.30 dB @900 MHz
OIP3：
32 dBm @900 MHz
OP1dB：
19 dBm @900 MHz
VCEOmax：
12 V
Package：
SOT143

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫(kù)存	備注	價(jià)格
深圳市英科美電子有限公司	BFP196	INFINEON	18+	SOT143	36500	全新原裝現(xiàn)貨,假一賠十!	詢價(jià)
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更多BFP196供應(yīng)商更新時(shí)間2026-1-18 14:03:00

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