| 型號 | 下載 訂購 | 功能描述 | 制造商 上傳企業(yè) | LOGO |
|---|---|---|---|---|
BFG135 | NPN 7GHz wideband transistor DESCRIPTION NPN silicon planar epitaxial transistor in a plastic SOT223 envelope, intended for wideband amplifier applications. The small emitter structures, with integrated emitter-ballasting resistors, ensure high output voltage capabilities at a low distortion level. The distribution of t 文件：107.15 Kbytes 頁數(shù)：12 Pages | PHI PHI | PHI | |
BFG135 | RF Manual 16th edition General description 10W plastic LDMOS power transistor for base station applications at frequencies from 700 MHz to 2700 MHz. Features and benefits ■ High efficiency ■ Excellent ruggedness ■ Designed for broadband operation ■ Excellent thermal stability ■ High power gain ■ Integrated ESD p 文件：9.37507 Mbytes 頁數(shù)：130 Pages | 恩XP | 恩XP | |
BFG135 | NPN 7GHz wideband transistor 文件：340.68 Kbytes 頁數(shù)：16 Pages | PHI PHI | PHI | |
BFG135 | NPN 7 GHz寬頻帶晶體管 NPN硅平面外延晶體管，采用SOT223塑料封裝，設(shè)計(jì)用于寬頻放大器應(yīng)用。小型射極結(jié)構(gòu)，具有集成式射極鎮(zhèn)流電阻，可確保在低失真水平時(shí)具有高輸出電壓能力。該晶體管表面的有源區(qū)分布能給出出色的溫度曲線。 集成式射極鎮(zhèn)流電阻\n低失真; | 恩XP | 恩XP | |
NPN Silicon RF Transistor (For low-distortion broadband output amplifier stages in antenna and telecommunications) NPN Silicon RF Transistor ? For low-distortion broadband amplifier stages in antenna and telecommunication systems up to 2 GHz at collector currents from 70 mA to 130 mA ? Power amplifiers for DECT and PCN systems ? Integrated emitter ballast resistor ? fT = 6 GHz 文件：49.64 Kbytes 頁數(shù)：6 Pages | SIEMENS 西門子 | SIEMENS | ||
NPN Silicon RF Transistor NPN Silicon RF Transistor ? For low-distortion broadband amplifier stages in antenna and telecommunication systems up to 2 GHz at collector currents from 70 mA to 130 mA ? Power amplifiers for DECT and PCN systems ? Integrated emitter ballast resistor ? fT = 6 GHz 文件：100.64 Kbytes 頁數(shù)：6 Pages | INFINEON 英飛凌 | INFINEON | ||
NPN 7GHz wideband transistor 文件：91.11 Kbytes 頁數(shù)：12 Pages | JMNIC 錦美電子 | JMNIC | ||
NPN 7GHz wideband transistor 文件：91.11 Kbytes 頁數(shù)：12 Pages | JMNIC 錦美電子 | JMNIC | ||
NPN Silicon RF Transistor ? For low-distortion broadband amplifier stages in antenna and telecommunication systems up to 2 GHz at collector currents from 70 mA to 130 mA\n? Power amplifiers for DECT and PCN systems\n? Integrated emitter ballast resistor\n? fT = 6 GHz | Infineon 英飛凌 | Infineon | ||
Package：TO-261-4，TO-261AA；包裝：卷帶（TR）剪切帶（CT） 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻 描述：RF TRANS NPN 15V 6GHZ SOT223-4 | INFINEON 英飛凌 | INFINEON |
晶體管資料
- 型號：
- 別名：
三極管、晶體管、晶體三極管
- 生產(chǎn)廠家：
- 制作材料：
Si-NPN
- 性質(zhì)：
甚高頻 （VHF）_超高頻/特高頻 （UHF）_寬頻帶放大
- 封裝形式：
貼片封裝
- 極限工作電壓：
25V
- 最大電流允許值：
0.15A
- 最大工作頻率：
7GHZ
- 引腳數(shù)：
3
- 可代換的型號：
- 最大耗散功率：
- 放大倍數(shù)：
- 圖片代號：
H-99
- vtest：
25
- htest：
7000000000
- atest：
0.15
- wtest：
0
詳細(xì)參數(shù)
- 型號：
BFG135
- 功能描述：
TRANSISTOR UHF BIPOLAR BREITBAND
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
恩XP |
24+ |
標(biāo)準(zhǔn)封裝 |
12048 |
全新原裝正品/價(jià)格優(yōu)惠/質(zhì)量保障 |
詢價(jià) | ||
恩XP |
25+ |
SOT223-3 |
32360 |
NXP/恩智浦全新特價(jià)BFG135即刻詢購立享優(yōu)惠#長期有貨 |
詢價(jià) | ||
恩XP |
16+ |
SOT223 |
3500 |
原裝正品現(xiàn)貨供應(yīng)56 |
詢價(jià) | ||
恩XP |
24+ |
SOT223 |
89000 |
全新原裝現(xiàn)貨,假一罰十 |
詢價(jià) | ||
恩XP |
24+ |
SOT223 |
9500 |
絕對原裝現(xiàn)貨,價(jià)格低,歡迎詢購! |
詢價(jià) | ||
PHI |
23+ |
1688 |
房間現(xiàn)貨庫存:QQ:373621633 |
詢價(jià) | |||
恩XP |
2024+ |
N/A |
70000 |
柒號只做原裝 現(xiàn)貨價(jià)秒殺全網(wǎng) |
詢價(jià) | ||
恩XP |
25+ |
SOT223 |
6500 |
十七年專營原裝現(xiàn)貨一手貨源,樣品免費(fèi)送 |
詢價(jià) | ||
恩XP |
23+ |
N/A |
12000 |
一級代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力 |
詢價(jià) | ||
24+ |
2000 |
全新 |
詢價(jià) |
