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IGK080B041S	文件：8.65594 Mbytes Page：7 Pages	絲印：BF1；Package：SG-UFWLB-16；(TM) CoolGaN Bidirectional Transistor 40 V G3 Features ? E-mode bidirectional transistor - normally OFF switch ? Drain-to-Drain configuration ? Bidirectional blocking capability ? Low on-resistance, low gate charge, low output charge ? Qualified according to JEDEC for target applications 文件：8.65594 Mbytes 頁(yè)數(shù)：7 Pages	INFINEON 英飛凌	INFINEON
BF1005	文件：252.08 Kbytes Page：5 Pages	絲?。?a target="_blank" title="Marking" href="/mzs/marking.html">MZs；Package：SOT-143；Silicon N-Channel MOSFET Tetrode Silicon N-Channel MOSFET Tetrode ?For low noise, high gain controlled input stages up to 1 GHz ?Operating voltage 5V ?Integrated biasing network ?Pb-free (RoHS compliant) package1) ?Qualified according AEC Q101 文件：252.08 Kbytes 頁(yè)數(shù)：5 Pages	INFINEON 英飛凌	INFINEON
BF1005	文件：51.96 Kbytes Page：4 Pages	Silicon N-Channel MOSFET Tetrode (For low noise, high gain controlled input stages up to 1GHz Operating voltage 5V Integrated stabilized bias network) Silicon N-Channel MOSFET Tetrode ?For low noise, high gain controlled input stages up to 1GHz ?Operating voltage 5V ?Integrated stabilized bias network 文件：51.96 Kbytes 頁(yè)數(shù)：4 Pages	SIEMENS 西門(mén)子	SIEMENS
BF1005R	文件：252.08 Kbytes Page：5 Pages	Silicon N-Channel MOSFET Tetrode Silicon N-Channel MOSFET Tetrode ?For low noise, high gain controlled input stages up to 1 GHz ?Operating voltage 5V ?Integrated biasing network ?Pb-free (RoHS compliant) package1) ?Qualified according AEC Q101 文件：252.08 Kbytes 頁(yè)數(shù)：5 Pages	INFINEON 英飛凌	INFINEON
BF1005S	文件：252.41 Kbytes Page：5 Pages	Silicon N-Channel MOSFET Tetrode Silicon N-Channel MOSFET Tetrode ?For low noise, high gain controlled input stages up to 1 GHz ?Operating voltage 5 V ?Integrated biasing network ?Pb-free (RoHS compliant) package1) ?Qualified according AEC Q101 文件：252.41 Kbytes 頁(yè)數(shù)：5 Pages	INFINEON 英飛凌	INFINEON
BF1005S	文件：52.96 Kbytes Page：4 Pages	Silicon N-Channel MOSFET Tetrode (For low noise, high gain controlled input stages up to 1GHz Operating voltage 5V Integrated stabilized bias network) Silicon N-Channel MOSFET Tetrode ?For low noise, high gain controlled input stages up to 1GHz ?Operating voltage 5V ?Integrated stabilized bias network 文件：52.96 Kbytes 頁(yè)數(shù)：4 Pages	SIEMENS 西門(mén)子	SIEMENS
BF1005SR	文件：252.41 Kbytes Page：5 Pages	Silicon N-Channel MOSFET Tetrode Silicon N-Channel MOSFET Tetrode ?For low noise, high gain controlled input stages up to 1 GHz ?Operating voltage 5 V ?Integrated biasing network ?Pb-free (RoHS compliant) package1) ?Qualified according AEC Q101 文件：252.41 Kbytes 頁(yè)數(shù)：5 Pages	INFINEON 英飛凌	INFINEON
BF1005SW	文件：252.41 Kbytes Page：5 Pages	Silicon N-Channel MOSFET Tetrode Silicon N-Channel MOSFET Tetrode ?For low noise, high gain controlled input stages up to 1 GHz ?Operating voltage 5 V ?Integrated biasing network ?Pb-free (RoHS compliant) package1) ?Qualified according AEC Q101 文件：252.41 Kbytes 頁(yè)數(shù)：5 Pages	INFINEON 英飛凌	INFINEON
BF1005W	文件：252.08 Kbytes Page：5 Pages	Silicon N-Channel MOSFET Tetrode Silicon N-Channel MOSFET Tetrode ?For low noise, high gain controlled input stages up to 1 GHz ?Operating voltage 5V ?Integrated biasing network ?Pb-free (RoHS compliant) package1) ?Qualified according AEC Q101 文件：252.08 Kbytes 頁(yè)數(shù)：5 Pages	INFINEON 英飛凌	INFINEON
BF1009	文件：36.16 Kbytes Page：4 Pages	Silicon N-Channel MOSFET Tetrode Silicon N-Channel MOSFET Tetrode ? For low noise, high gain controlled input stages up to 1GHz ? Operating voltage 9 V ? Integrated stabilized bias network 文件：36.16 Kbytes 頁(yè)數(shù)：4 Pages	SIEMENS 西門(mén)子	SIEMENS

技術(shù)參數(shù)

IDpuls(@25°C) max：
60 A
QG：
5.2 nC
RSS (on) typmax：
6 m?
VDDmax：
40 V
VDSmax：
40 V
Mounting：
SMT
ISS(@25°C) max：
14 A
ISS puls(@25°C) max：
60 A
Generation：
G3

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫(kù)存	備注	價(jià)格
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