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BDT63B	文件：111.05 Kbytes Page：5 Pages	SILICON DARLINGTON POWER TRANSISTORS NPN epitaxial-base transistors in a monolithic Dalrington circuit and housed in a TO-220 envelope. They are intended for output stages in audio equipment, general amplifiers, and analogue switching application. PNP complements are BDT62-A-B-C Compliance to RoHS. 文件：111.05 Kbytes 頁數(shù)：5 Pages	COMSET	COMSET
BDT63B	文件：120.22 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN Darlington Power Transistor DESCRIPTION ·Collector Current -IC= 10A ·High DC Current Gain-hFE= 1000(Min)@ IC= 3A ·Complement to Type BDT62/A/B/C APPLICATIONS ·Designed for audio output stages and general purpose amplifier applications 文件：120.22 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages	ISC 無錫固電	ISC
BDT63B	文件：136.44 Kbytes Page：2 Pages	Silicon NPN Darlington Power Transistor 文件：136.44 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體公司	NJSEMI
BDT63B	文件：300 bytes Page：1 Pages	Darlington BJT	NJS	NJS
BDT63B	文件：300 bytes Page：1 Pages	Transistor	Comset	Comset

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艾睿（深圳）半導(dǎo)體有限公司	BDT63B	ST	2447	TO-220	100500	一級代理專營品牌!原裝正品,優(yōu)勢現(xiàn)貨,長期排單到貨	詢價(jià)
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更多BDT63B供應(yīng)商更新時(shí)間2026-1-19 10:20:00