| 型號 | 下載 訂購 | 功能描述 | 制造商 上傳企業(yè) | LOGO |
|---|---|---|---|---|
PNP SILICON POWER DARLINGTONS PNP SILICON POWER DARLINGTONS ● Designed for Complementary Use with BDT61, BDT61A, BDT61B and BDT61C ● 50 W at 25°C Case Temperature ● 4 A Continuous Collector Current ● Minimum hFE of 750 at 1.5 V, 3 A 文件：719.45 Kbytes 頁數(shù)：5 Pages | TRSYS Transys Electronics | TRSYS | ||
Silicon PNP Darlington Power Transistors DESCRIPTION ? DC Current Gain -hFE= 750(Min)@ IC=-1.5A ? Collector-Emitter Sustaining Voltage- : VCEo(sus) = -60V(Min)- BDT60F; -SOV(Min)- BDT60AF -100V(Min)- BDT60BF; -120V(Min)- BDT60CF ? Complement to Type BDT61F/ 文件：131.08 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages | NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體公司 | NJSEMI | ||
isc Silicon PNP Darlington Power Transistors DESCRIPTION · DC Current Gain -hFE = 750(Min)@ IC= -1.5A · Collector-Emitter Sustaining Voltage- : VCEO(SUS) = -60V(Min)- BDT60F; -80V(Min)- BDT60AF -100V(Min)- BDT60BF; -120V(Min)- BDT60CF · Complement to Type BDT61F/61AF/61BF/61CF APPLICATIONS · D 文件：113.44 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages | ISC 無錫固電 | ISC | ||
isc Silicon PNP Darlington Power Transistors DESCRIPTION · DC Current Gain -hFE = 750(Min)@ IC= -1.5A · Collector-Emitter Sustaining Voltage- : VCEO(SUS) = -60V(Min)- BDT60F; -80V(Min)- BDT60AF -100V(Min)- BDT60BF; -120V(Min)- BDT60CF · Complement to Type BDT61F/61AF/61BF/61CF APPLICATIONS · D 文件：113.44 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages | ISC 無錫固電 | ISC | ||
Silicon PNP Darlington Power Transistors DESCRIPTION ? DC Current Gain -hFE= 750(Min)@ IC=-1.5A ? Collector-Emitter Sustaining Voltage- : VCEo(sus) = -60V(Min)- BDT60F; -SOV(Min)- BDT60AF -100V(Min)- BDT60BF; -120V(Min)- BDT60CF ? Complement to Type BDT61F/ 文件：131.08 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages | NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體公司 | NJSEMI | ||
PNP SILICON POWER DARLINGTONS 文件：119.03 Kbytes 頁數(shù)：5 Pages | BOURNS 伯恩斯 | BOURNS | ||
PNP SILICON POWER DARLINGTONS 文件：119.03 Kbytes 頁數(shù)：5 Pages | BOURNS 伯恩斯 | BOURNS | ||
PNP SILICON POWER DARLINGTONS 文件：119.03 Kbytes 頁數(shù)：5 Pages | BOURNS 伯恩斯 | BOURNS | ||
BDT60 | PNP SILICON POWER DARLINGTONS ● Designed for Complementary Use with BDT61, BDT61A, BDT61B and BDT61C\n● 50 W at 25°C Case Temperature\n● 4 A Continuous Collector Current\n● Minimum hFE of 750 at 1.5 V, 3 A | Bourns 伯恩斯 | Bourns | |
BDT60 | PNP SILICON POWER DARLINGTONS | Power Innovations | Power Innovations |
晶體管資料
- 型號：
- 別名：
三極管、晶體管、晶體三極管
- 生產(chǎn)廠家：
- 制作材料：
Si-P+Darl+Di
- 性質(zhì)：
低頻或音頻放大 （LF）_開關(guān)管 （S）_功率放大 （L
- 封裝形式：
直插封裝
- 極限工作電壓：
60V
- 最大電流允許值：
4A
- 最大工作頻率：
>10MHZ
- 引腳數(shù)：
3
- 可代換的型號：
BD716,BDW24A,BDW54A,BDW64A,TIP115,6035Y,
- 最大耗散功率：
50W
- 放大倍數(shù)：
β>750
- 圖片代號：
B-89
- vtest：
60
- htest：
10000100
- atest：
4
- wtest：
50
技術(shù)參數(shù)
- Number of Elements per Chip：
1
- Minimum Operating Temperature：
-65°C
- Minimum DC Current Gain：
- Maximum Operating Temperature：
150°C
- Maximum Emitter Base Voltage：
5V
- Maximum Continuous DC Collector Current：
4A
- Maximum Collector Emitter Voltage：
60V
- Maximum Collector Base Voltage：
60V
- Configuration：
Single
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
24+ |
TO-220 |
10000 |
全新 |
詢價(jià) | |||
BDT60 |
25+ |
25 |
25 |
詢價(jià) | |||
PHI |
05+ |
原廠原裝 |
1001 |
只做全新原裝真實(shí)現(xiàn)貨供應(yīng) |
詢價(jià) | ||
ST |
17+ |
TO-220 |
6200 |
詢價(jià) | |||
恩XP |
23+ |
TO-220F |
11846 |
一級代理商現(xiàn)貨批發(fā),原裝正品,假一罰十 |
詢價(jià) | ||
ST |
20+ |
TO-220 |
38560 |
原裝優(yōu)勢主營型號-可開原型號增稅票 |
詢價(jià) | ||
ST/意法 |
23+ |
TO-220 |
50000 |
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨 |
詢價(jià) | ||
ST |
23+ |
TO-220 |
50000 |
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨 |
詢價(jià) | ||
ST/意法 |
2022+ |
TO-220 |
12888 |
原廠代理 終端免費(fèi)提供樣品 |
詢價(jià) | ||
恩XP |
23+ |
TO-TO-220F |
123500 |
原廠授權(quán)代理,海外優(yōu)勢訂貨渠道。可提供大量庫存,詳 |
詢價(jià) |
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