| 型號 | 下載 訂購 | 功能描述 | 制造商 上傳企業(yè) | LOGO |
|---|---|---|---|---|
BDT60A | Complement to Type BDT61/A/B/C DESCRIPTION ·DC Current Gain -hFE = 750(Min)@ IC= -1.5A ·Collector-Emitter Sustaining Voltage- : VCEO(SUS) = -60V(Min)- BDT60; -80V(Min)- BDT60A; -100V(Min)- BDT60B; -120V(Min)- BDT60C ·Complement to Type BDT61/A/B/C APPLICATIONS ·Designed for use in audi 文件：199.63 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages | ISC 無錫固電 | ISC | |
BDT60A | PNP SILICON POWER DARLINGTONS PNP SILICON POWER DARLINGTONS ? Designed for Complementary Use with BDT60, BDT60A, BDT60B and BDT60C ? 50 W at 25 °C Case Temperature ? 4 A Continuous Collector Current ? Minimum hFE of 750 at 1.5 V, 3 A 文件：212.33 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages | NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體公司 | NJSEMI | |
BDT60A | PNP SILICON POWER DARLINGTONS PNP SILICON POWER DARLINGTONS ● Designed for Complementary Use with BDT61, BDT61A, BDT61B and BDT61C ● 50 W at 25°C Case Temperature ● 4 A Continuous Collector Current ● Minimum hFE of 750 at 1.5 V, 3 A 文件：168.47 Kbytes 頁數(shù)：6 Pages | POINN | POINN | |
BDT60A | PNP SILICON POWER DARLINGTONS PNP SILICON POWER DARLINGTONS ● Designed for Complementary Use with BDT61, BDT61A, BDT61B and BDT61C ● 50 W at 25°C Case Temperature ● 4 A Continuous Collector Current ● Minimum hFE of 750 at 1.5 V, 3 A 文件：719.45 Kbytes 頁數(shù)：5 Pages | TRSYS Transys Electronics | TRSYS | |
BDT60A | PNP SILICON POWER DARLINGTONS 文件：119.03 Kbytes 頁數(shù)：5 Pages | BOURNS 伯恩斯 | BOURNS | |
isc Silicon PNP Darlington Power Transistors DESCRIPTION · DC Current Gain -hFE = 750(Min)@ IC= -1.5A · Collector-Emitter Sustaining Voltage- : VCEO(SUS) = -60V(Min)- BDT60F; -80V(Min)- BDT60AF -100V(Min)- BDT60BF; -120V(Min)- BDT60CF · Complement to Type BDT61F/61AF/61BF/61CF APPLICATIONS · D 文件：113.44 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages | ISC 無錫固電 | ISC | ||
Silicon PNP Darlington Power Transistors DESCRIPTION ? DC Current Gain -hFE= 750(Min)@ IC=-1.5A ? Collector-Emitter Sustaining Voltage- : VCEo(sus) = -60V(Min)- BDT60F; -SOV(Min)- BDT60AF -100V(Min)- BDT60BF; -120V(Min)- BDT60CF ? Complement to Type BDT61F/ 文件：131.08 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages | NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體公司 | NJSEMI | ||
BDT60A | PNP SILICON POWER DARLINGTONS | Power Innovations | Power Innovations |
晶體管資料
- 型號：
- 別名：
三極管、晶體管、晶體三極管
- 生產(chǎn)廠家：
- 制作材料：
Si-P+Darl+Di
- 性質(zhì)：
低頻或音頻放大 （LF）_開關(guān)管 （S）_功率放大 （L
- 封裝形式：
直插封裝
- 極限工作電壓：
80V
- 最大電流允許值：
4A
- 最大工作頻率：
>10MHZ
- 引腳數(shù)：
3
- 可代換的型號：
BD718,BDW24B,BDW54B,BDW64B,
- 最大耗散功率：
50W
- 放大倍數(shù)：
β>750
- 圖片代號：
B-89
- vtest：
80
- htest：
10000100
- atest：
4
- wtest：
50
詳細(xì)參數(shù)
- 型號：
BDT60A
- 功能描述：
達(dá)林頓晶體管 50W 4A PNP
- RoHS：
否
- 制造商：
Texas Instruments
- 配置：
Octal
- 晶體管極性：
NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓
- VCEO：
50 V 發(fā)射極 - 基極電壓
- VEBO：
集電極—基極電壓
- 最大直流電集電極電流：
0.5 A
- 最大工作溫度：
+ 150 C
- 安裝風(fēng)格：
SMD/SMT
- 封裝/箱體：
SOIC-18
- 封裝：
Reel
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
24+ |
TO-220 |
10000 |
全新 |
詢價 | |||
PHI |
05+ |
原廠原裝 |
1001 |
只做全新原裝真實現(xiàn)貨供應(yīng) |
詢價 | ||
ST |
17+ |
TO-220 |
6200 |
詢價 | |||
西門子 |
23+ |
TO-220 |
69820 |
終端可以免費(fèi)供樣,支持BOM配單! |
詢價 | ||
ST/意法 |
2022+ |
TO-220 |
12888 |
原廠代理 終端免費(fèi)提供樣品 |
詢價 | ||
ST |
26+ |
SOP |
86720 |
全新原裝正品價格最實惠 假一賠百 |
詢價 | ||
ST |
25+ |
TO-TO-220 |
37650 |
獨(dú)立分銷商 公司只做原裝 誠心經(jīng)營 免費(fèi)試樣正品保證 |
詢價 | ||
ST |
25+ |
TO-220 |
16900 |
原裝，請咨詢 |
詢價 | ||
ST |
2511 |
TO-220 |
16900 |
電子元器件采購降本30%!原廠直采,砍掉中間差價 |
詢價 | ||
ST |
26+ |
TO-220 |
60000 |
只有原裝 可配單 |
詢價 |
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