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BA12003	文件：2.43533 Mbytes Page：31 Pages	SEMICONDUCTORS 文件：2.43533 Mbytes 頁數(shù)：31 Pages	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分類制造商	ETC
BA12003B	文件：1.1641 Mbytes Page：19 Pages	7 Circuits Darlinton Transistor Array General Description BA12003B/BF,BA12004B/BFare darlinton transistor array consist of 7circuits, input resistor to limit base current and output surge absorption clamp diode. Features ■ Built-in 7 circuits ■ High output break down voltage ■ High DC output current gain ■ Built-in input res 文件：1.1641 Mbytes 頁數(shù)：19 Pages	ROHM 羅姆	ROHM
BA12003B	文件：58.69 Kbytes Page：6 Pages	High voltage, high current Darlington transistor array The BA12001B, BA12003B, BA12003BF, and BA12004B are high voltage, high current, high sustain voltage transistor arrays consisting of seven circuits of Darlington transistors. Because it incorporates built-in surge-absorbing diodes and base current-control resistors needed when using inductive loa 文件：58.69 Kbytes 頁數(shù)：6 Pages	ROHM 羅姆	ROHM
BA12003B_V01	文件：1.1641 Mbytes Page：19 Pages	7 Circuits Darlinton Transistor Array General Description BA12003B/BF,BA12004B/BFare darlinton transistor array consist of 7circuits, input resistor to limit base current and output surge absorption clamp diode. Features ■ Built-in 7 circuits ■ High output break down voltage ■ High DC output current gain ■ Built-in input res 文件：1.1641 Mbytes 頁數(shù)：19 Pages	ROHM 羅姆	ROHM
BA12003BF	文件：58.69 Kbytes Page：6 Pages	High voltage, high current Darlington transistor array The BA12001B, BA12003B, BA12003BF, and BA12004B are high voltage, high current, high sustain voltage transistor arrays consisting of seven circuits of Darlington transistors. Because it incorporates built-in surge-absorbing diodes and base current-control resistors needed when using inductive loa 文件：58.69 Kbytes 頁數(shù)：6 Pages	ROHM 羅姆	ROHM
BA12003BF	文件：1.1641 Mbytes Page：19 Pages	7 Circuits Darlinton Transistor Array General Description BA12003B/BF,BA12004B/BFare darlinton transistor array consist of 7circuits, input resistor to limit base current and output surge absorption clamp diode. Features ■ Built-in 7 circuits ■ High output break down voltage ■ High DC output current gain ■ Built-in input res 文件：1.1641 Mbytes 頁數(shù)：19 Pages	ROHM 羅姆	ROHM
BA12003BF-E2	文件：1.1641 Mbytes Page：19 Pages	7 Circuits Darlinton Transistor Array General Description BA12003B/BF,BA12004B/BFare darlinton transistor array consist of 7circuits, input resistor to limit base current and output surge absorption clamp diode. Features ■ Built-in 7 circuits ■ High output break down voltage ■ High DC output current gain ■ Built-in input res 文件：1.1641 Mbytes 頁數(shù)：19 Pages	ROHM 羅姆	ROHM
BA12003BF-E2	文件：115.89 Kbytes Page：7 Pages	High voltage, high current Darlington transistor array The BA12001B, BA12003B, BA12003BF, and BA12004B are high voltage, high current, high sustain voltage transistor arrays consisting of seven circuits of Darlington transistors. Because it incorporates built-in surge-absorbing diodes and base current-control resistors needed when using inductive loa 文件：115.89 Kbytes 頁數(shù)：7 Pages	ROHM 羅姆	ROHM
BA12003B	文件：115.89 Kbytes Page：7 Pages	High voltage, high current Darlington transistor array 文件：115.89 Kbytes 頁數(shù)：7 Pages	ROHM 羅姆	ROHM
BA12003BF	文件：115.89 Kbytes Page：7 Pages	High voltage, high current Darlington transistor array 文件：115.89 Kbytes 頁數(shù)：7 Pages	ROHM 羅姆	ROHM

技術(shù)參數(shù)

Channel：
7
Output Voltage Resistance[V]：
60.0
Output Saturation Voltage[V]：
1.46
Output current(Typ.)[mA]：
500.0
Input Resistance[kΩ]：
2.7
I/O：
Invert type
Input Active Level：
High
Input/Output Relation：
Sink
Circuit Construction：
Darlington
Operating Temperature (Min.)[°C]：
-40
Operating Temperature (Max.)[°C]：
85

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
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更多BA12003供應(yīng)商更新時間2026-1-17 14:01:00

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