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BA10T	文件：98.15 Kbytes Page：8 Pages	Low saturation voltage type 3-pin regulator BAOOT / BAOOFP series The BAΟΟT and BAΟΟFP series are fixed positive output low drop-out type, 3-pin voltage regulators with positive output. These regulators are used to provide a stabilized output voltage from a fluctuating DC input voltage. There are 10 fixed output voltages, as follows:3V, 3 文件：98.15 Kbytes 頁數(shù)：8 Pages	ROHM 羅姆	ROHM
BA10TFP	文件：98.15 Kbytes Page：8 Pages	Low saturation voltage type 3-pin regulator BAOOT / BAOOFP series The BAΟΟT and BAΟΟFP series are fixed positive output low drop-out type, 3-pin voltage regulators with positive output. These regulators are used to provide a stabilized output voltage from a fluctuating DC input voltage. There are 10 fixed output voltages, as follows:3V, 3 文件：98.15 Kbytes 頁數(shù)：8 Pages	ROHM 羅姆	ROHM
BA10TFP	文件：100.71 Kbytes Page：9 Pages	Low saturation voltage type 3-pin regulator BAOOT / BAOOFP series The BAΟΟT and BAΟΟFP series are fixed positive output low drop-out type, 3-pin voltage regulators with positive output. These regulators are used to provide a stabilized output voltage from a fluctuating DC input voltage. There are 10 fixed output voltages, as follows:3V, 3 文件：100.71 Kbytes 頁數(shù)：9 Pages	ROHM 羅姆	ROHM
BA12001B	文件：58.69 Kbytes Page：6 Pages	High voltage, high current Darlington transistor array The BA12001B, BA12003B, BA12003BF, and BA12004B are high voltage, high current, high sustain voltage transistor arrays consisting of seven circuits of Darlington transistors. Because it incorporates built-in surge-absorbing diodes and base current-control resistors needed when using inductive loa 文件：58.69 Kbytes 頁數(shù)：6 Pages	ROHM 羅姆	ROHM
BA12003B	文件：58.69 Kbytes Page：6 Pages	High voltage, high current Darlington transistor array The BA12001B, BA12003B, BA12003BF, and BA12004B are high voltage, high current, high sustain voltage transistor arrays consisting of seven circuits of Darlington transistors. Because it incorporates built-in surge-absorbing diodes and base current-control resistors needed when using inductive loa 文件：58.69 Kbytes 頁數(shù)：6 Pages	ROHM 羅姆	ROHM
BA12003B	文件：1.1641 Mbytes Page：19 Pages	7 Circuits Darlinton Transistor Array General Description BA12003B/BF,BA12004B/BFare darlinton transistor array consist of 7circuits, input resistor to limit base current and output surge absorption clamp diode. Features ■ Built-in 7 circuits ■ High output break down voltage ■ High DC output current gain ■ Built-in input res 文件：1.1641 Mbytes 頁數(shù)：19 Pages	ROHM 羅姆	ROHM
BA12003B_V01	文件：1.1641 Mbytes Page：19 Pages	7 Circuits Darlinton Transistor Array General Description BA12003B/BF,BA12004B/BFare darlinton transistor array consist of 7circuits, input resistor to limit base current and output surge absorption clamp diode. Features ■ Built-in 7 circuits ■ High output break down voltage ■ High DC output current gain ■ Built-in input res 文件：1.1641 Mbytes 頁數(shù)：19 Pages	ROHM 羅姆	ROHM
BA12003BF	文件：1.1641 Mbytes Page：19 Pages	7 Circuits Darlinton Transistor Array General Description BA12003B/BF,BA12004B/BFare darlinton transistor array consist of 7circuits, input resistor to limit base current and output surge absorption clamp diode. Features ■ Built-in 7 circuits ■ High output break down voltage ■ High DC output current gain ■ Built-in input res 文件：1.1641 Mbytes 頁數(shù)：19 Pages	ROHM 羅姆	ROHM
BA12003BF	文件：58.69 Kbytes Page：6 Pages	High voltage, high current Darlington transistor array The BA12001B, BA12003B, BA12003BF, and BA12004B are high voltage, high current, high sustain voltage transistor arrays consisting of seven circuits of Darlington transistors. Because it incorporates built-in surge-absorbing diodes and base current-control resistors needed when using inductive loa 文件：58.69 Kbytes 頁數(shù)：6 Pages	ROHM 羅姆	ROHM
BA12003BF-E2	文件：115.89 Kbytes Page：7 Pages	High voltage, high current Darlington transistor array The BA12001B, BA12003B, BA12003BF, and BA12004B are high voltage, high current, high sustain voltage transistor arrays consisting of seven circuits of Darlington transistors. Because it incorporates built-in surge-absorbing diodes and base current-control resistors needed when using inductive loa 文件：115.89 Kbytes 頁數(shù)：7 Pages	ROHM 羅姆	ROHM

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晶體管資料

型號：
BA1A3Q...L4Z
別名：
三極管、晶體管、晶體三極管
生產(chǎn)廠家：
制作材料：
Si-N+R
性質(zhì)：
開關(guān)管（S）
封裝形式：
極限工作電壓：
60V
最大電流允許值：
0.1A
最大工作頻率：
<1MHZ或未知
引腳數(shù)：
可代換的型號：
最大耗散功率：
0.25W
放大倍數(shù)：
圖片代號：
NO
vtest：
60
htest：
999900
atest：
0.1
wtest：
0.25

技術(shù)參數(shù)

封裝：
SOP14
包裝數(shù)量：
2500
最小獨(dú)立包裝數(shù)量：
2500
包裝形態(tài)：
Taping
RoHS：
Yes
Channel：
4
Circuit Current (Typ.) [mA/ch]：
0.15
Input Offset Voltage (Max.) [mV]：
7
Input Bias Current (Typ.) [nA]：
20
Slew Rate (Typ.) [V/μs]：
0.2
Input Voltage Range [V]：
VEE to VCC-1.5
Output Voltage Range [V]：
VEE to VCC-1.5
Voltage gain (Typ.) [dB]：
100
Output current (Typ.) [mA]：
35
CMRR (Typ.) [dB]：
75
PSRR (Typ.) [dB]：
100
GBW (Typ.) [MHz]：
0.5
Operating Temperature (Min.) [°C]：
-40
Operating Temperature (Max.) [°C]：
85
Package Size [mm]：
8.7x6.2 (t=1.71)

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
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深圳市弘為電子有限公司	BA10324A	ROHM	24+	DIP	1068	原裝現(xiàn)貨假一罰十	詢價
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更多BA1供應(yīng)商更新時間2026-1-21 11:02:00

替換型號

晶體管資料

技術(shù)參數(shù)

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