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BA12003BF-E2	文件：1.1641 Mbytes Page：19 Pages	7 Circuits Darlinton Transistor Array General Description BA12003B/BF,BA12004B/BFare darlinton transistor array consist of 7circuits, input resistor to limit base current and output surge absorption clamp diode. Features ■ Built-in 7 circuits ■ High output break down voltage ■ High DC output current gain ■ Built-in input res 文件：1.1641 Mbytes 頁數(shù)：19 Pages	ROHM 羅姆	ROHM
BA12004B	文件：58.69 Kbytes Page：6 Pages	High voltage, high current Darlington transistor array The BA12001B, BA12003B, BA12003BF, and BA12004B are high voltage, high current, high sustain voltage transistor arrays consisting of seven circuits of Darlington transistors. Because it incorporates built-in surge-absorbing diodes and base current-control resistors needed when using inductive loa 文件：58.69 Kbytes 頁數(shù)：6 Pages	ROHM 羅姆	ROHM
BA12004B	文件：1.1641 Mbytes Page：19 Pages	7 Circuits Darlinton Transistor Array General Description BA12003B/BF,BA12004B/BFare darlinton transistor array consist of 7circuits, input resistor to limit base current and output surge absorption clamp diode. Features ■ Built-in 7 circuits ■ High output break down voltage ■ High DC output current gain ■ Built-in input res 文件：1.1641 Mbytes 頁數(shù)：19 Pages	ROHM 羅姆	ROHM
BA12004BF	文件：1.1641 Mbytes Page：19 Pages	7 Circuits Darlinton Transistor Array General Description BA12003B/BF,BA12004B/BFare darlinton transistor array consist of 7circuits, input resistor to limit base current and output surge absorption clamp diode. Features ■ Built-in 7 circuits ■ High output break down voltage ■ High DC output current gain ■ Built-in input res 文件：1.1641 Mbytes 頁數(shù)：19 Pages	ROHM 羅姆	ROHM
BA12004BF-E2	文件：1.1641 Mbytes Page：19 Pages	7 Circuits Darlinton Transistor Array General Description BA12003B/BF,BA12004B/BFare darlinton transistor array consist of 7circuits, input resistor to limit base current and output surge absorption clamp diode. Features ■ Built-in 7 circuits ■ High output break down voltage ■ High DC output current gain ■ Built-in input res 文件：1.1641 Mbytes 頁數(shù)：19 Pages	ROHM 羅姆	ROHM
BA128	文件：34.5 Kbytes Page：1 Pages	General Purpose Diodes General Purpose Diodes 文件：34.5 Kbytes 頁數(shù)：1 Pages	FAIRCHILD 仙童半導體	FAIRCHILD
BA1282	文件：132.8 Kbytes Page：5 Pages	Band Switching Diodes FEATURES ? Silicon planar diode ? Saving space ? Hermetic sealed parts ? Fits onto SOD-323 footprints ? Electrical data identical with the devices BA682, BA683, BA982, BA983 ? Low dynamic forward resistance ? Low diode capacitance ? High reverse impedance ? AEC-Q101 qualified ? Compliant 文件：132.8 Kbytes 頁數(shù)：5 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
BA1282-TR	文件：132.8 Kbytes Page：5 Pages	Band Switching Diodes FEATURES ? Silicon planar diode ? Saving space ? Hermetic sealed parts ? Fits onto SOD-323 footprints ? Electrical data identical with the devices BA682, BA683, BA982, BA983 ? Low dynamic forward resistance ? Low diode capacitance ? High reverse impedance ? AEC-Q101 qualified ? Compliant 文件：132.8 Kbytes 頁數(shù)：5 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
BA1282-TR3	文件：132.8 Kbytes Page：5 Pages	Band Switching Diodes FEATURES ? Silicon planar diode ? Saving space ? Hermetic sealed parts ? Fits onto SOD-323 footprints ? Electrical data identical with the devices BA682, BA683, BA982, BA983 ? Low dynamic forward resistance ? Low diode capacitance ? High reverse impedance ? AEC-Q101 qualified ? Compliant 文件：132.8 Kbytes 頁數(shù)：5 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
BA1283	文件：132.8 Kbytes Page：5 Pages	Band Switching Diodes FEATURES ? Silicon planar diode ? Saving space ? Hermetic sealed parts ? Fits onto SOD-323 footprints ? Electrical data identical with the devices BA682, BA683, BA982, BA983 ? Low dynamic forward resistance ? Low diode capacitance ? High reverse impedance ? AEC-Q101 qualified ? Compliant 文件：132.8 Kbytes 頁數(shù)：5 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY

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晶體管資料

型號：
BA1A3Q...L4Z
別名：
三極管、晶體管、晶體三極管
生產(chǎn)廠家：
制作材料：
Si-N+R
性質(zhì)：
開關管（S）
封裝形式：
極限工作電壓：
60V
最大電流允許值：
0.1A
最大工作頻率：
<1MHZ或未知
引腳數(shù)：
可代換的型號：
最大耗散功率：
0.25W
放大倍數(shù)：
圖片代號：
NO
vtest：
60
htest：
999900
atest：
0.1
wtest：
0.25

技術參數(shù)

封裝：
SOP14
包裝數(shù)量：
2500
最小獨立包裝數(shù)量：
2500
包裝形態(tài)：
Taping
RoHS：
Yes
Channel：
4
Circuit Current (Typ.) [mA/ch]：
0.15
Input Offset Voltage (Max.) [mV]：
7
Input Bias Current (Typ.) [nA]：
20
Slew Rate (Typ.) [V/μs]：
0.2
Input Voltage Range [V]：
VEE to VCC-1.5
Output Voltage Range [V]：
VEE to VCC-1.5
Voltage gain (Typ.) [dB]：
100
Output current (Typ.) [mA]：
35
CMRR (Typ.) [dB]：
75
PSRR (Typ.) [dB]：
100
GBW (Typ.) [MHz]：
0.5
Operating Temperature (Min.) [°C]：
-40
Operating Temperature (Max.) [°C]：
85
Package Size [mm]：
8.7x6.2 (t=1.71)

供應商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
深圳市明嘉萊科技有限公司	BA1	樂韻瑞	25+	SMD	918000	明嘉萊只做原裝正品現(xiàn)貨	詢價
深圳市毅創(chuàng)騰電子科技有限公司	BA10393F-T2	ROHM	23+	SOP	7000	絕對全新原裝!100%保質(zhì)量特價!請放心訂購!	詢價
深圳市益百分電子有限公司	BA10358F-E2	ROHM	06PB	SOP8	1400	全新原裝進口自己庫存優(yōu)勢	詢價
深圳市弘為電子有限公司	BA10324A	ROHM	24+	DIP	1068	原裝現(xiàn)貨假一罰十	詢價
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上海市鑫鴻達電子	BA178M08FP-E2	ROHM/羅姆	2022+		288	全新原裝貨期兩周	詢價
深圳市一線半導體有限公司	BA158218		24+	DIP	50		詢價
深圳市納立科技有限公司	BA10358F-FE2		三年內(nèi)		1983	只做原裝正品	詢價
深圳市凌旭科技有限公司	BA178M07FP-E2	ROHM	21+	TO252	1940	只做原裝,絕對現(xiàn)貨,原廠代理商渠道,歡迎電話微信查	詢價

更多BA1供應商更新時間2026-1-21 9:33:00

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