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| 型號 | 下載 訂購 | 功能描述 | 制造商 上傳企業(yè) | LOGO |
|---|---|---|---|---|
APT30GN60BG | Power Semiconductors Power Modules RF Power MOSFETs POWER MOS 7? MOSFET Power MOS 7? is a new generation of low loss, high voltage, N-Channel enhancement mode power MOSFETS. Both conduction and switching losses are addressed with Power MOS 7? by significantly lowering RDS(ON) and Qg. Power MOS 7? combines lower conduction and switching losses alon 文件：2.83333 Mbytes 頁數(shù)：44 Pages | MICROSEMI 美高森美 | MICROSEMI | |
APT30GN60BG | IGBT 文件：395.08 Kbytes 頁數(shù)：6 Pages | ADPOW | ADPOW | |
APT30GN60BG | Resonant Mode Combi IGBT 文件：129.59 Kbytes 頁數(shù)：6 Pages | MICROSEMI 美高森美 | MICROSEMI | |
APT30GN60BG | Power Semiconductors Power Modules RF Power MOSFETs 文件：9.86083 Mbytes 頁數(shù)：44 Pages | MICROSEMI 美高森美 | MICROSEMI | |
APT30GN60BG | Power Semiconductors Power Modules 文件：2.83336 Mbytes 頁數(shù)：44 Pages | MICROSEMI 美高森美 | MICROSEMI | |
APT30GN60BG | Package：TO-247-3；包裝：卷帶（TR） 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述：IGBT 600V 63A 203W TO247 | MICROCHIP 微芯科技 | MICROCHIP |
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號：
APT30GN60BG
- 制造商：
Microchip Technology
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 包裝：
卷帶（TR）
- IGBT 類型：
溝槽型場截止
- 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：
1.9V @ 15V，30A
- 開關(guān)能量：
525μJ（開），700μJ（關(guān)）
- 輸入類型：
標(biāo)準(zhǔn)
- 25°C 時 Td（開/關(guān)）值：
12ns/155ns
- 測試條件：
400V，30A，4.3 歐姆，15V
- 工作溫度：
-55°C ~ 175°C（TJ）
- 安裝類型：
通孔
- 封裝/外殼：
TO-247-3
- 供應(yīng)商器件封裝：
TO-247 [B]
- 描述：
IGBT 600V 63A 203W TO247
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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TO-247 |
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Microsemi Corporation |
22+ |
TO247 [B] |
9000 |
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