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|---|---|---|---|---|
APT40GR120B2SCD10 | Power Semiconductors Power Modules RF Power MOSFETs POWER MOS 7? MOSFET Power MOS 7? is a new generation of low loss, high voltage, N-Channel enhancement mode power MOSFETS. Both conduction and switching losses are addressed with Power MOS 7? by significantly lowering RDS(ON) and Qg. Power MOS 7? combines lower conduction and switching losses alon 文件：2.83333 Mbytes 頁數(shù)：44 Pages | MICROSEMI 美高森美 | MICROSEMI | |
APT40GR120B2SCD10 | Power Semiconductors Power Modules 文件：2.83336 Mbytes 頁數(shù)：44 Pages | MICROSEMI 美高森美 | MICROSEMI | |
APT40GR120B2SCD10 | NPT IGBT & Trench IGBT The APT40GR120B2SCD10?Ultra Fast NPT - IGBT? is a new generation of high voltage power IGBTs. Using Non-Punch-Through Technology, the Ultra Fast NPT-IGBT? offers superior ruggedness and ultrafast switching speed.FeaturesLow Saturation VoltageLow Tail CurrentShort Circuit Withstand RatedHigh Frequenc | Microchip 微芯科技 | Microchip | |
APT40GR120B2SCD10 | Package：TO-247-3；包裝：管件 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述：IGBT 1200V 88A 500W TO247 | MICROSEMI 美高森美 | MICROSEMI |
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號：
APT40GR120B2SCD10
- 制造商：
Microsemi Corporation
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 包裝：
管件
- IGBT 類型：
NPT
- 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：
3.2V @ 15V，40A
- 開關(guān)能量：
929μJ（開），1070μJ（關(guān)）
- 輸入類型：
標(biāo)準(zhǔn)
- 25°C 時 Td（開/關(guān)）值：
20ns/166ns
- 測試條件：
600V，40A，4.3 歐姆，15V
- 工作溫度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安裝類型：
通孔
- 封裝/外殼：
TO-247-3
- 供應(yīng)商器件封裝：
TO-247
- 描述：
IGBT 1200V 88A 500W TO247
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Microse |
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TO247 |
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MICROSEMI/美高森美 |
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TO247 |
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Microsemi Corporation |
22+ |
TO247 |
9000 |
原廠渠道,現(xiàn)貨配單 |
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