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          首頁(yè) >AOD512>規(guī)格書(shū)列表

          型號(hào)下載 訂購(gòu)功能描述制造商 上傳企業(yè)LOGO

          AOD512

          30V N-Channel AlphaMOS

          文件:311.71 Kbytes 頁(yè)數(shù):6 Pages

          AOSMD

          萬(wàn)國(guó)半導(dǎo)體

          AOD512

          MOSFET N-CH 30V 27A TO252

          AOS

          美國(guó)萬(wàn)代

          AP512

          UMTS-band 8W HBT Amplifier Module

          文件:267.39 Kbytes 頁(yè)數(shù):5 Pages

          WJCI

          AP512MCSD

          microSD Card

          文件:94.55 Kbytes 頁(yè)數(shù):12 Pages

          ETCList of Unclassifed Manufacturers

          未分類制造商

          AP512-PCB

          UMTS-band 8W HBT Amplifier Module

          文件:267.39 Kbytes 頁(yè)數(shù):5 Pages

          WJCI

          詳細(xì)參數(shù)

          • 型號(hào):

            AOD512

          • 功能描述:

            MOSFET N CH 30V 70A TO252

          • RoHS:

          • 類別:

            分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單

          • 系列:

            -

          • 標(biāo)準(zhǔn)包裝:

            1,000

          • 系列:

            MESH OVERLAY™ FET

          • 型:

            MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET

          • 特點(diǎn):

            邏輯電平門

          • 漏極至源極電壓(Vdss):

            200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°

          • C:

            18A 開(kāi)態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

          • C:

            180 毫歐 @ 9A,10V Id 時(shí)的

          • Vgs(th)(最大):

            4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @

          • Vgs:

            72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @

          • Vds:

            1560pF @ 25V 功率 -

          • 最大:

            40W

          • 安裝類型:

            通孔

          • 封裝/外殼:

            TO-220-3 整包

          • 供應(yīng)商設(shè)備封裝:

            TO-220FP

          • 包裝:

            管件

          供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
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          更多AOD512供應(yīng)商 更新時(shí)間2026-1-19 13:57:00
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