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型號	下載訂購	功能描述	制造商上傳企業(yè)	LOGO
AOD7S65	文件：363.79 Kbytes Page：7 Pages	650V 7A a MOS Power Transistor General Description The AOD7S65 & AOU7S65 & AOI7S65 have been fabricated using the advanced αMOSTM high voltage process that is designed to deliver high levels of performance and robustness in switching applications. By providing low RDS(on), Qg and EOSS along with guaranteed avalanche ca 文件：363.79 Kbytes 頁數(shù)：7 Pages	AOSMD 萬國半導體	AOSMD
AOD7S65	文件：310.25 Kbytes Page：2 Pages	絲?。?a target="_blank" title="Marking" href="/dpak/marking.html">DPAK；Package：TO-252；isc N-Channel MOSFET Transistor DESCRIPTION ? Designed for use in switch mode power supplies and general purpose applications. FEATURES ? Drain Current –ID= 7.0A@ TC=25℃ ? Drain Source Voltage- : VDSS=650V(Min) ? Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) =0.65Ω (Max) ? 100 avalanche tested ? Minimum Lot-to-L 文件：310.25 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages	ISC 無錫固電	ISC
AOD7S65	文件：300 bytes Page：1 Pages	高壓MOSFET (500V - 1000V) 650V 7A αMOS? Power Transistor	AOS 美國萬代	AOS
AOI7S65	文件：318.43 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：318.43 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages	ISC 無錫固電	ISC
AOI7S65	文件：363.79 Kbytes Page：7 Pages	650V 7A a MOS Power Transistor General Description The AOD7S65 & AOU7S65 & AOI7S65 have been fabricated using the advanced αMOSTM high voltage process that is designed to deliver high levels of performance and robustness in switching applications. By providing low RDS(on), Qg and EOSS along with guaranteed avalanche ca 文件：363.79 Kbytes 頁數(shù)：7 Pages	AOSMD 萬國半導體	AOSMD
AOT7S65	文件：308.21 Kbytes Page：7 Pages	650V 7A a MOS Power Transistor General Description The AOT7S65L & AOB7S65L & AOTF7S65L & AOTF7S65 have been fabricated using the advanced αMOSTM high voltage process that is designed to deliver high levels of performance and robustness in switching applications. By providing low RDS(on), Qg and EOSS along with guar 文件：308.21 Kbytes 頁數(shù)：7 Pages	AOSMD 萬國半導體	AOSMD

技術參數(shù)

Package：
TO252
Configuration：
Single
Polarity：
N
VDS (V)：
650
VGS (±V)：
30
ID @ 25°C (A)：
7
PD @ 25°C (W)：
89
10V：
650
Qg (10V)(nC)：
9.20
VGS(th) max (V)：
4
Ciss (pF)：
434
Coss (pF)：
30
Crss (pF)：
1
Qgd (nC)：
2.70
tD(on) (ns)：
21
tD(off) (ns)：
55
Trr (ns)：
224
Qrr (nC)：
2800
Qualification：
Industrial
ESD Diode：
No
Tj max (°C)：
150

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