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首頁 >絲印反查>AO4485

型號(hào)	下載訂購	功能描述	制造商上傳企業(yè)	LOGO
AO4485	文件：479.99 Kbytes Page：6 Pages	絲印：AO4485；Package：SOP-8；P-Channel MOSFET Features VDS (V) = -40V ID = -10A RDS(ON) 文件：479.99 Kbytes 頁數(shù)：6 Pages	UMW 友臺(tái)半導(dǎo)體	UMW
AO4485	文件：430.39 Kbytes Page：6 Pages	絲印：AO4485；Package：SOP-8；P-Channel MOSFET General Description The AO4485 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. This device is suitable for use as a DC-DC converter application. Features VDS (V) = -40V ID = -10A RDS(ON) 文件：430.39 Kbytes 頁數(shù)：6 Pages	EVVOSEMI 翊歐	EVVOSEMI
AO4485	文件：479.99 Kbytes Page：6 Pages	絲?。?strong>AO4485；Package：SOP-8；P-Channel MOSFET Features VDS (V) = -40V ID = -10A RDS(ON) 文件：479.99 Kbytes 頁數(shù)：6 Pages	UMW 友臺(tái)半導(dǎo)體	UMW
AO4485	文件：430.39 Kbytes Page：6 Pages	絲?。?strong>AO4485；Package：SOP-8；P-Channel MOSFET General Description The AO4485 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. This device is suitable for use as a DC-DC converter application. Features VDS (V) = -40V ID = -10A RDS(ON) 文件：430.39 Kbytes 頁數(shù)：6 Pages	EVVOSEMI 翊歐	EVVOSEMI
AO4485	文件：1.17686 Mbytes Page：4 Pages	絲印：4485；Package：SOP-8；P-Channel MOSFET ■ Features ● VDS (V) =-40V ● ID =-10 A (VGS =-10V) ● RDS(ON) 文件：1.17686 Mbytes 頁數(shù)：4 Pages	KEXIN 科信電子	KEXIN
AO4485-HF	文件：1.82733 Mbytes Page：4 Pages	絲?。?a target="_blank" title="Marking" href="/4485/marking.html">4485；Package：SOP-8；P-Channel MOSFET ■ Features ● VDS (V) =-40V ● ID =-10 A (VGS =-10V) ● RDS(ON) 文件：1.82733 Mbytes 頁數(shù)：4 Pages	KEXIN 科信電子	KEXIN
AO4485	文件：1.8502 Mbytes Page：9 Pages	P-Channel 40 V (D-S) MOSFET FEATURES ? Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition ? 100 Rg Tested ? 100 UIS Tested ? Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS ? Load Switch ? POL 文件：1.8502 Mbytes 頁數(shù)：9 Pages	VBSEMI 微碧半導(dǎo)體	VBSEMI
AO4485	文件：1.71153 Mbytes Page：4 Pages	40V P-Channel MOSFET General Description The AO4485 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. This device is suitable for use as a DC-DC converter application. Product Summary VDS (V) = -40V ID = -10A (VGS = -10V) RDS(ON) 文件：1.71153 Mbytes 頁數(shù)：4 Pages	WHXPCB 萬和興電子	WHXPCB
AO4485	文件：553 Kbytes Page：4 Pages	P-Channel MOSFET uses advanced trench technology Description： This P-Channel MOSFET uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(on) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. Features： 1) VDS=-40V,ID=-10A,RDS(ON) 文件：553 Kbytes 頁數(shù)：4 Pages	DOINGTER 杜因特	DOINGTER
AO4485	文件：210.46 Kbytes Page：4 Pages	P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description The AO4485/L uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. This device is suitable for use as a DC-DC converter application. AO4485 and AO4485L are electrically identical. -RoHS Compliant -AO4485L is Halogen Free Features VDS (V) = 文件：210.46 Kbytes 頁數(shù)：4 Pages	AOSMD 萬國半導(dǎo)體	AOSMD

詳細(xì)參數(shù)

型號(hào)：
AO4485
功能描述：
MOSFET P-CH 40V 10A 8SOIC
RoHS：
是
類別：
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單
系列：
-
標(biāo)準(zhǔn)包裝：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET
特點(diǎn)：
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)：
200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°
C：
18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安裝類型：
通孔
封裝/外殼：
TO-220-3 整包
供應(yīng)商設(shè)備封裝：
TO-220FP
包裝：
管件

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫存	備注	價(jià)格
深圳市斌騰達(dá)科技有限公司	AO4485	AOS	20+	SOP	6000000	全新原裝正品全系列優(yōu)勢特價(jià)產(chǎn)品歡迎來電咨詢	詢價(jià)
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更多AO4485供應(yīng)商更新時(shí)間2026-1-20 17:22:00

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