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首頁 >絲印反查>AOD444

型號	下載訂購	功能描述	制造商上傳企業(yè)	LOGO
AOD444	文件：534.69 Kbytes Page：7 Pages	絲?。?strong>AOD444；Package：TO-252；60V N-Channel MOSFET Product Summary VDS 60V ID (at VGS=10V) 12A RDS(ON) (at VGS=10V) 文件：534.69 Kbytes 頁數(shù)：7 Pages	UMW 友臺半導體	UMW
AOD444	文件：534.69 Kbytes Page：7 Pages	絲印：AOD444；Package：TO-252；60V N-Channel MOSFET Product Summary VDS 60V ID (at VGS=10V) 12A RDS(ON) (at VGS=10V) 文件：534.69 Kbytes 頁數(shù)：7 Pages	UMW 友臺半導體	UMW
AOD444	文件：309.61 Kbytes Page：2 Pages	絲?。?a target="_blank" title="Marking" href="/dpak/marking.html">DPAK；Package：TO-252；isc N-Channel MOSFET Transistor DESCRIPTION ? Designed for use in switch mode power supplies and general purpose applications. FEATURES ? Drain Current –ID= 12A@ TC=25℃ ? Drain Source Voltage- : VDSS= 60V(Min) ? Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 60mΩ (Max) ? 100 avalanche tested ? Minimum Lot-to-Lo 文件：309.61 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages	ISC 無錫固電	ISC
AOD444	文件：1.77127 Mbytes Page：5 Pages	N-Channel MOSFET ■ Features ● VDS (V) = 60V ● ID = 12 A (VGS = 10V) ● RDS(ON) 文件：1.77127 Mbytes 頁數(shù)：5 Pages	KEXIN 科信電子	KEXIN
AOD444	文件：1.00194 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel 60 V (D-S) MOSFET FEATURES ? TrenchFET? Power MOSFET ? 100 Rg and UIS Tested ? Material categorization: For definitions of compliance please see APPLICATIONS ? DC/DC Converters ? DC/AC Inverters ? Motor Drives 文件：1.00194 Mbytes 頁數(shù)：8 Pages	VBSEMI 微碧半導體	VBSEMI
AOD444	文件：2.5065 Mbytes Page：5 Pages	N-Channel MOSFET uses advanced trench technology Description： This N-Channel MOSFET uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(on) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. Features： 1) VDS=60V,ID=20A,RDS(ON) 文件：2.5065 Mbytes 頁數(shù)：5 Pages	DOINGTER 杜因特	DOINGTER
AOD444	文件：553.17 Kbytes Page：7 Pages	60V N-Channel MOSFET General Description The AOD444 combine advanced trench MOSFET technology with a low resistance package to provide extremely low RDS(ON). Those devices are suitable for use in PWM, load switching and general purpose applications. Product Summary VDS 60V ID (at VGS=10V) 12A RDS(ON) (at VGS 文件：553.17 Kbytes 頁數(shù)：7 Pages	EVVOSEMI 翊歐	EVVOSEMI
AOD444	文件：254.37 Kbytes Page：6 Pages	60V N-Channel MOSFET General Description The AOD444 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. This device is suitable for use in PWM, load switching and general purpose applications. AOD444L (Green Product) is offered in a lead-free package. Features VDS (V) = 文件：254.37 Kbytes 頁數(shù)：6 Pages	AOSMD 萬國半導體	AOSMD
AOD444	文件：125.77 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor 文件：125.77 Kbytes 頁數(shù)：5 Pages	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分類制造商	ETC
AOD444L	文件：125.77 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor 文件：125.77 Kbytes 頁數(shù)：5 Pages	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分類制造商	ETC

詳細參數(shù)

型號：
AOD444
功能描述：
MOSFET N-CH 60V 12A TO-252
RoHS：
是
類別：
分離式半導體產(chǎn)品 >> FET - 單
系列：
-
標準包裝：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET
特點：
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)：
200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°
C：
18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安裝類型：
通孔
封裝/外殼：
TO-220-3 整包
供應商設(shè)備封裝：
TO-220FP
包裝：
管件

供應商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
深圳市譽誠盛世科技有限公司	AOD444	AOS	17+	TO252	100000	原裝現(xiàn)貨本公司只賣原裝貨	詢價
深圳市泓利達微科技有限公司	AOD444	AOS美國萬代	24+	TO-252	888000	AOS代理商優(yōu)勢供應美國萬代AOS全系列	詢價
中天科工半導體（深圳）有限公司	AOD444	AOS/萬代	25+	TO-252	32205	AOS/萬代全新特價AOD444即刻詢購立享優(yōu)惠#長期有貨	詢價
深圳市金華微盛電子有限公司	AOD444	AOS/萬代	2019+	TO252	3333	原廠渠道可含稅出貨	詢價
深圳市鑫煒納電子有限公司	AOD444	AOS/萬代	2021+	原廠原封裝	93628	原裝進口現(xiàn)貨假一罰百	詢價
深圳市勤思達科技有限公司	AOD444	AOS/萬代	2021+	TO252	12000	勤思達只做原裝正品現(xiàn)貨供應	詢價
深圳市賽特興科技有限公司	AOD444	AOS/萬代	23+	TO-252	7500	正規(guī)渠道,只有原裝!	詢價
深圳市金芯世紀電子有限公司	AOD444	AOS萬代			100000	代理渠道/只做原裝/可含稅	詢價
深圳市美思瑞電子科技有限公司	AOD444	AOS	22+	TO-252	25000	原裝正品，實單請聯(lián)系	詢價
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更多AOD444供應商更新時間2026-1-17 10:01:00

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