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AO4828	文件：793.82 Kbytes Page：7 Pages	絲?。?strong>AO4828；Package：SOP-8；Dual N-Channel MOSFET General Features VDS = 60V ID = 6.5 A RDS(ON) 文件：793.82 Kbytes 頁數(shù)：7 Pages	UMW 友臺半導(dǎo)體	UMW
AO4828	文件：987.68 Kbytes Page：7 Pages	絲?。?strong>AO4828；Package：SOP-8；Dual N-Channel MOSFET Description The AO4828 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 2.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features VDS = 60V ID = 6.5 A RDS(ON) 文件：987.68 Kbytes 頁數(shù)：7 Pages	EVVOSEMI 翊歐	EVVOSEMI
AO4828	文件：793.82 Kbytes Page：7 Pages	絲印：AO4828；Package：SOP-8；Dual N-Channel MOSFET General Features VDS = 60V ID = 6.5 A RDS(ON) 文件：793.82 Kbytes 頁數(shù)：7 Pages	UMW 友臺半導(dǎo)體	UMW
AO4828	文件：987.68 Kbytes Page：7 Pages	絲?。?strong>AO4828；Package：SOP-8；Dual N-Channel MOSFET Description The AO4828 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 2.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features VDS = 60V ID = 6.5 A RDS(ON) 文件：987.68 Kbytes 頁數(shù)：7 Pages	EVVOSEMI 翊歐	EVVOSEMI
AO4828	文件：1.06351 Mbytes Page：4 Pages	絲?。?a target="_blank" title="Marking" href="/4828/marking.html">4828；Package：SOP-8；Dual N-Channel MOSFET ■ Features ● VDS (V) = 60V ● ID = 4.5A (VGS = 10V) ● RDS(ON) 文件：1.06351 Mbytes 頁數(shù)：4 Pages	KEXIN 科信電子	KEXIN
AO4828-HF	文件：1.78266 Mbytes Page：4 Pages	絲印：4828；Package：SOP-8；Dual N-Channel MOSFET ■ Features ● VDS (V) = 60V ● ID = 4.5A (VGS = 10V) ● RDS(ON) 文件：1.78266 Mbytes 頁數(shù)：4 Pages	KEXIN 科信電子	KEXIN
AO4828	文件：1.08328 Mbytes Page：9 Pages	Dual N-Channel 60 V (D-S) 175 ?C MOSFET FEATURES ? TrenchFET? power MOSFET ? 100 Rg and UIS tested 文件：1.08328 Mbytes 頁數(shù)：9 Pages	VBSEMI 微碧半導(dǎo)體	VBSEMI
AO4828	文件：109.93 Kbytes Page：4 Pages	Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description The AO4828 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. Standard Product AO4828 is Pb-free (meets ROHS & Sony 259 specifications). AO4828L is a Green Product order 文件：109.93 Kbytes 頁數(shù)：4 Pages	AOSMD 萬國半導(dǎo)體	AOSMD
AO4828L	文件：109.93 Kbytes Page：4 Pages	Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description The AO4828 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. Standard Product AO4828 is Pb-free (meets ROHS & Sony 259 specifications). AO4828L is a Green Product order 文件：109.93 Kbytes 頁數(shù)：4 Pages	AOSMD 萬國半導(dǎo)體	AOSMD
AO4828	文件：173.96 Kbytes Page：4 Pages	60V Dual N-Channel MOSFET 文件：173.96 Kbytes 頁數(shù)：4 Pages	AOSMD 萬國半導(dǎo)體	AOSMD

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詳細(xì)參數(shù)

型號：
AO4828
功能描述：
MOSFET DUAL N-CH 60V 4.5A 8-SOIC
RoHS：
是
類別：
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 陣列
系列：
-
產(chǎn)品目錄繪圖：
8-SOIC Mosfet Package
標(biāo)準(zhǔn)包裝：
1
系列：
- FET
型：
2 個(gè) N 溝道（雙） FET
特點(diǎn)：
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)：
60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°
C：
3A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
75 毫歐 @ 4.6A，10V Id 時(shí)的
Vgs(th)（最大）：
3V @ 250µA 閘電荷(Qg) @
Vgs：
20nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @
Vds：
- 功率 -
最大：
1.4W
安裝類型：
表面貼裝
封裝/外殼：
PowerPAK? SO-8
供應(yīng)商設(shè)備封裝：
PowerPAK? SO-8
包裝：
Digi-Reel®
產(chǎn)品目錄頁面：
1664(CN2011-ZH PDF)
其它名稱：
SI7948DP-T1-GE3DKR

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價(jià)格
深圳市泓利達(dá)微科技有限公司	AO4828	AOS美國萬代	24+	SOP-8	888000	AOS代理商優(yōu)勢供應(yīng)美國萬代AOS全系列	詢價(jià)
中天科工半導(dǎo)體（深圳）有限公司	AO4828	AOS/萬代	25+	SOP-8	32125	AOS/萬代全新特價(jià)AO4828即刻詢購立享優(yōu)惠#長期有貨	詢價(jià)
深圳市龍瀚電子有限公司	AO4828	AOS	16+	SOP8	9257		詢價(jià)
深圳市金華微盛電子有限公司	AO4828	AOS/萬代	2019+	SOP8	6700	原廠渠道可含稅出貨	詢價(jià)
深圳市賽特興科技有限公司	AO4828	AOS	23+	SOP8	30000	正規(guī)渠道,只有原裝!	詢價(jià)
深圳市金芯世紀(jì)電子有限公司	AO4828	AOS萬代			100000	代理渠道/只做原裝/可含稅	詢價(jià)
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深圳市河鋒鑫科技有限公司	AO4828	AOS/萬代	20+	SO-8	120000	原裝正品可含稅交易	詢價(jià)
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更多AO4828供應(yīng)商更新時(shí)間2026-1-21 10:03:00

詳細(xì)參數(shù)

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