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2SK3140	文件：47.08 Kbytes Page：10 Pages	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Features ? Low on-resistance RDS(on)= 6 m? typ. ? Low drive current ? 4 V gate drive device can be driven from 5 V source 文件：47.08 Kbytes 頁數(shù)：10 Pages	HITACHIHitachi Semiconductor 日立日立公司	HITACHI
2SK3140	文件：86.91 Kbytes Page：8 Pages	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Features ? Low on-resistance RDS(on)= 6 m? typ. ? Low drive current ? 4 V gate drive device can be driven from 5 V source 文件：86.91 Kbytes 頁數(shù)：8 Pages	RENESAS 瑞薩	RENESAS
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2SK3230	文件：0 bytes Page：0 Pages	SOT523	RENESAS 瑞薩上傳：深圳市正納電子有限公司	RENESAS
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更多2SK3140供應(yīng)商更新時(shí)間2026-1-22 18:19:00