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2SK3163-E	文件：88.62 Kbytes Page：8 Pages	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Features ? Low on-resistance RDS(on) = 6 m? typ. ? Low drive current ? 4 V gate drive device can be driven from 5 V source 文件：88.62 Kbytes 頁數(shù)：8 Pages	RENESAS 瑞薩	RENESAS
2SK3163	文件：335.61 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：335.61 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages	ISC 無錫固電	ISC
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2SK3163	文件：48.56 Kbytes Page：10 Pages	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Features ? Low on-resistance RDS(on) = 6 m? typ. ? Low drive current ? 4 V gate drive device can be driven from 5 V source 文件：48.56 Kbytes 頁數(shù)：10 Pages	HITACHIHitachi Semiconductor 日立日立公司	HITACHI

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更多2SK3163-E供應商更新時間2026-1-20 16:48:00