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型號	下載訂購	功能描述	制造商上傳企業(yè)	LOGO
2SK3147	文件：54.02 Kbytes Page：9 Pages	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Features ? Low on-resistance RDS= 0.1 ? typ. ? High speed switching ? 4 V gate drive device can be driven from 5 V source 文件：54.02 Kbytes 頁數(shù)：9 Pages	HITACHIHitachi Semiconductor 日立日立公司	HITACHI
2SK3147	文件：94.2 Kbytes Page：9 Pages	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Features ? Low on-resistance RDS=0.1 ?typ. ? High speed switching ? 4 V gate drive device can be driven from 5 V source 文件：94.2 Kbytes 頁數(shù)：9 Pages	RENESAS 瑞薩	RENESAS
2SK3147	文件：1.00819 Mbytes Page：7 Pages	N-Channel 100 V (D-S) MOSFET 文件：1.00819 Mbytes 頁數(shù)：7 Pages	VBSEMI 微碧半導體	VBSEMI
2SK3147	文件：300 bytes Page：1 Pages	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching ?? Low on-resistance\n?? High speed switching\n?? 4 V gate drive device can be driven from 5 V source;	Renesas 瑞薩	Renesas
2SK3147L	文件：54.02 Kbytes Page：9 Pages	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Features ? Low on-resistance RDS= 0.1 ? typ. ? High speed switching ? 4 V gate drive device can be driven from 5 V source 文件：54.02 Kbytes 頁數(shù)：9 Pages	HITACHIHitachi Semiconductor 日立日立公司	HITACHI
2SK3147L-E	文件：94.2 Kbytes Page：9 Pages	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Features ? Low on-resistance RDS=0.1 ?typ. ? High speed switching ? 4 V gate drive device can be driven from 5 V source 文件：94.2 Kbytes 頁數(shù)：9 Pages	RENESAS 瑞薩	RENESAS
2SK3147S	文件：54.02 Kbytes Page：9 Pages	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Features ? Low on-resistance RDS= 0.1 ? typ. ? High speed switching ? 4 V gate drive device can be driven from 5 V source 文件：54.02 Kbytes 頁數(shù)：9 Pages	HITACHIHitachi Semiconductor 日立日立公司	HITACHI
2SK3147S	文件：45.08 Kbytes Page：1 Pages	Silicon N Cannel MOSFET Features Low on-resistance RDS=0.1 typ. High speed switching 4 V gate drive device can be driven from 5 V source 文件：45.08 Kbytes 頁數(shù)：1 Pages	KEXIN 科信電子	KEXIN
2SK3147STL-E	文件：94.2 Kbytes Page：9 Pages	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Features ? Low on-resistance RDS=0.1 ?typ. ? High speed switching ? 4 V gate drive device can be driven from 5 V source 文件：94.2 Kbytes 頁數(shù)：9 Pages	RENESAS 瑞薩	RENESAS
2SK3147L	文件：398.99 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：398.99 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages	ISC 無錫固電	ISC

技術(shù)參數(shù)

封裝類型：
DPAK(L)-(2)/TO-251
Nch/Pch：
Nch
通道數(shù)：
Single
VDSS (V) 最大值：
100
ID (A)：
5
RDS (ON)(mΩ) 最大值@4V或4.5V：
170
RDS (ON)(mΩ) 最大值@10V或8V：
130
Ciss (pF) 典型值：
420
Vgs (off) (V) 最大值：
2.5
VGSS (V)：
20
Pch (W)：
20
應用：
Industrial
安裝類型：
Through Hole

供應商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
深圳市河鋒鑫科技有限公司	2SK3147	HITACHI/日立	17+	220	31518	原裝正品可含稅交易	詢價
深圳市一線半導體有限公司	2SK3147	SANYO	24+		60000		詢價
深圳市威爾健半導體有限公司	2SK3147	VBSEMI/臺灣微碧	23+	TO-252	50000	全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨	詢價
深圳市金芯世紀電子有限公司	2SK3147	RENESAS/瑞薩	22+	SOT252	100000	代理渠道/只做原裝/可含稅	詢價
深圳龐田科技有限公司	2SK3147	HITACHI	2023+環(huán)保現(xiàn)貨	TO-252	18000	專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)等方案配套一站式服務	詢價
深圳市旺財半導體有限公司	2SK3147	RENESAS	23+	SOT252	4000	正品原裝貨價格低	詢價
深圳市宏捷佳電子科技有限公司	2SK3147	HITACHI	2023+	TO-252	50000	原裝現(xiàn)貨	詢價
深圳市明嘉萊科技有限公司	2SK3147	ORIGINAL	24+	NA	990000	明嘉萊只做原裝正品現(xiàn)貨	詢價
深圳市科達星科技有限公司	2SK3147	HIT	24+	TO-252	27500	原裝正品,價格最低!	詢價
深圳市博中泰實業(yè)有限公司	2SK3147	RENESAS/瑞薩	24+	TO-252	60000	全新原裝現(xiàn)貨	詢價

更多2SK3147供應商更新時間2026-1-20 14:00:00

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