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2SJ547-E	文件：88.75 Kbytes Page：8 Pages	Silicon P Channel MOS FET Description High speed power switching Features ? Low on-resistance RDS (on)= 0.16 ?typ. ? 4 V gate drive devices ? High speed switching 文件：88.75 Kbytes 頁數(shù)：8 Pages	RENESAS 瑞薩	RENESAS
2SJ547	文件：88.75 Kbytes Page：8 Pages	Silicon P Channel MOS FET Description High speed power switching Features ? Low on-resistance RDS (on)= 0.16 ?typ. ? 4 V gate drive devices ? High speed switching 文件：88.75 Kbytes 頁數(shù)：8 Pages	RENESAS 瑞薩	RENESAS
2SJ547	文件：53.93 Kbytes Page：9 Pages	Silicon P Channel MOS FET High Speed Power Switching Features ? Low on-resistance RDS(on)= 0.16 ?typ. ? 4 V gete drive devices ? High speed switching 文件：53.93 Kbytes 頁數(shù)：9 Pages	HITACHIHitachi Semiconductor 日立日立公司	HITACHI
2SJ605-Z-E1	文件：0 bytes Page：0 Pages	TO263	RENESAS 瑞薩上傳：深圳市正納電子有限公司	RENESAS
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更多2SJ547-E供應商更新時間2026-1-22 16:30:00