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2SJ471	文件：47.36 Kbytes Page：10 Pages	Silicon P Channel DV-L MOS FET High Speed Power Switching Features ? Low on-resistance RDS(on) = 25 m? typ. ? 4V gate drive devices. ? High speed switching 文件：47.36 Kbytes 頁(yè)數(shù)：10 Pages	HITACHIHitachi Semiconductor 日立日立公司	HITACHI
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