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2SJ504-E	文件：89.37 Kbytes Page：8 Pages	Silicon P Channel MOS FET Description High speed power switching Features ? Low on-resistance RDS (on)= 0.042 ?typ. ? Low drive current. ? 4 V gate drive devices. ? High speed switching. 文件：89.37 Kbytes 頁數(shù)：8 Pages	RENESAS 瑞薩	RENESAS
2SJ504	文件：51.32 Kbytes Page：10 Pages	Silicon P Channel MOS FET High Speed Power Switching Features ? Low on-resistance RDS(on)= 0.042? typ. ? Low drive current. ? 4V gate drive devices. ? High speed switching. 文件：51.32 Kbytes 頁數(shù)：10 Pages	HITACHIHitachi Semiconductor 日立日立公司	HITACHI
2SJ504	文件：89.37 Kbytes Page：8 Pages	Silicon P Channel MOS FET Description High speed power switching Features ? Low on-resistance RDS (on)= 0.042 ?typ. ? Low drive current. ? 4 V gate drive devices. ? High speed switching. 文件：89.37 Kbytes 頁數(shù)：8 Pages	RENESAS 瑞薩	RENESAS
2SJ605-Z-E1	文件：0 bytes Page：0 Pages	TO263	RENESAS 瑞薩上傳：深圳市正納電子有限公司	RENESAS
2SJ652-1E	文件：0 bytes Page：0 Pages	TO-220-3	ON 上傳：深圳市芯峰微電子科技有限公司	ON

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深圳市祥瑞智科技有限公司	2SJ504-E	RENESAS	25+	TO-220F	500	原廠原裝,價格優(yōu)勢	詢價
深圳市博中泰實業(yè)有限公司	2SJ504-E	RENESAS/瑞薩	24+	TO-220F	60000		詢價
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