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型號(hào)	下載訂購(gòu)	功能描述	制造商上傳企業(yè)	LOGO
2SJ506	文件：50.81 Kbytes Page：10 Pages	Silicon P Channel MOS FET High Speed Power Switching Features ? Low on-resistance RDS(on)= 0.065 ?typ. (at VGS = –10V, ID= –5A) ? Low drive current ? High speed switching ? 4V gate drive devices. 文件：50.81 Kbytes 頁(yè)數(shù)：10 Pages	HITACHIHitachi Semiconductor 日立日立公司	HITACHI
2SJ506	文件：89.21 Kbytes Page：8 Pages	Silicon P Channel MOS FET * Low on-resistance RDS(on)= 0.065 ?typ. (at V GS = –10V, ID= –5A) * Low drive current * High speed switching * 4V gate drive devices. 文件：89.21 Kbytes 頁(yè)數(shù)：8 Pages	RENESAS 瑞薩	RENESAS
2SJ506	文件：300 bytes Page：1 Pages	Silicon P Channel MOS FET High Speed Power Switching ?? Low on-resistance RDS(on)= 0.065 ?typ. (at VGS = –10V, ID= –5A)\n?? Low drive current\n?? High speed switching\n?? 4V gate drive devices.;	HITACHI 日立	HITACHI
2SJ506L	文件：50.81 Kbytes Page：10 Pages	Silicon P Channel MOS FET High Speed Power Switching Features ? Low on-resistance RDS(on)= 0.065 ?typ. (at VGS = –10V, ID= –5A) ? Low drive current ? High speed switching ? 4V gate drive devices. 文件：50.81 Kbytes 頁(yè)數(shù)：10 Pages	HITACHIHitachi Semiconductor 日立日立公司	HITACHI
2SJ506L	文件：89.21 Kbytes Page：8 Pages	Silicon P Channel MOS FET * Low on-resistance RDS(on)= 0.065 ?typ. (at V GS = –10V, ID= –5A) * Low drive current * High speed switching * 4V gate drive devices. 文件：89.21 Kbytes 頁(yè)數(shù)：8 Pages	RENESAS 瑞薩	RENESAS
2SJ506L-E	文件：89.21 Kbytes Page：8 Pages	Silicon P Channel MOS FET * Low on-resistance RDS(on)= 0.065 ?typ. (at V GS = –10V, ID= –5A) * Low drive current * High speed switching * 4V gate drive devices. 文件：89.21 Kbytes 頁(yè)數(shù)：8 Pages	RENESAS 瑞薩	RENESAS
2SJ506S	文件：50.81 Kbytes Page：10 Pages	Silicon P Channel MOS FET High Speed Power Switching Features ? Low on-resistance RDS(on)= 0.065 ?typ. (at VGS = –10V, ID= –5A) ? Low drive current ? High speed switching ? 4V gate drive devices. 文件：50.81 Kbytes 頁(yè)數(shù)：10 Pages	HITACHIHitachi Semiconductor 日立日立公司	HITACHI
2SJ506S	文件：89.21 Kbytes Page：8 Pages	Silicon P Channel MOS FET * Low on-resistance RDS(on)= 0.065 ?typ. (at V GS = –10V, ID= –5A) * Low drive current * High speed switching * 4V gate drive devices. 文件：89.21 Kbytes 頁(yè)數(shù)：8 Pages	RENESAS 瑞薩	RENESAS
2SJ506S	文件：52.09 Kbytes Page：2 Pages	Hight Speed Power Switching Features Low on-resistance RDS(on)= 0.065 typ. (at VGS= -10V, ID=-5A) Low drive current High speed switching 4V gate drive devices. 文件：52.09 Kbytes 頁(yè)數(shù)：2 Pages	KEXIN 科信電子	KEXIN
2SJ506STL-E	文件：89.21 Kbytes Page：8 Pages	Silicon P Channel MOS FET * Low on-resistance RDS(on)= 0.065 ?typ. (at V GS = –10V, ID= –5A) * Low drive current * High speed switching * 4V gate drive devices. 文件：89.21 Kbytes 頁(yè)數(shù)：8 Pages	RENESAS 瑞薩	RENESAS

技術(shù)參數(shù)

封裝類型：
DPAK(L)-(2)/TO-251
Nch/Pch：
Pch
通道數(shù)：
Single
VDSS (V) 最大值：
-30
ID (A)：
-10
RDS (ON)(mΩ) 最大值@4V或4.5V：
180
RDS (ON)(mΩ) 最大值@10V或8V：
85
Ciss (pF) 典型值：
630
Vgs (off) (V) 最大值：
-2
VGSS (V)：
20
Pch (W)：
20
應(yīng)用：
Industrial
安裝類型：
Through Hole

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫(kù)存	備注	價(jià)格
深圳市一線半導(dǎo)體有限公司	2SJ506	RENESAS	24+	SOT252	97000		詢價(jià)
深圳市粵科源興科技有限公司	2SJ506	VISHAY	13+	TO-92-2	7398	原裝分銷(xiāo)	詢價(jià)
深圳市勤思達(dá)科技有限公司	2SJ506		12+	TO-251	15000	全新原裝,絕對(duì)正品,公司現(xiàn)貨供應(yīng)。	詢價(jià)
深圳市鵬和科技有限公司	2SJ506	HITACHI	24+	SOT-252	5000	全現(xiàn)原裝公司現(xiàn)貨	詢價(jià)
深圳市河鋒鑫科技有限公司	2SJ506	HITACHI	22+	TO-252	6000	十年配單,只做原裝	詢價(jià)
貿(mào)澤芯城（深圳）電子科技有限公司	2SJ506	SI	23+	TO-92-2	4000	原廠授權(quán)代理,海外優(yōu)勢(shì)訂貨渠道?？商峁┐罅繋?kù)存,詳	詢價(jià)
洪芯國(guó)際半導(dǎo)體（深圳）有限公司	2SJ506	SI	26+	SOP3.9mm	86720	全新原裝正品價(jià)格最實(shí)惠假一賠百	詢價(jià)
深圳市威雅利發(fā)展有限公司	2SJ506	HITACHI	18+	SOT-252	1988	一級(jí)代理,專注軍工、汽車(chē)、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力	詢價(jià)
深圳市金芯世紀(jì)電子有限公司	2SJ506	HITACHI/日立	22+	SOT-252	100000	代理渠道/只做原裝/可含稅	詢價(jià)
深圳龐田科技有限公司	2SJ506	HITACHI	2023+環(huán)?，F(xiàn)貨	TO-252	18000	專注軍工、汽車(chē)、醫(yī)療、工業(yè)等方案配套一站式服務(wù)	詢價(jià)

更多2SJ506供應(yīng)商更新時(shí)間2026-1-21 16:30:00

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