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2SD2124 | Silicon NPN Epitaxial Application Low frequency power amplifier 文件：33.09 Kbytes 頁數：6 Pages | HITACHIHitachi Semiconductor 日立日立公司 | HITACHI | |
2SD2124 | Silicon NPN Epitaxial Application Low frequency power amplifier 文件：148.44 Kbytes 頁數：7 Pages | RENESAS 瑞薩 | RENESAS | |
2SD2124 | Silicon NPN Darlington Transistor DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= 120V(Min) ·DC Current Gain- : hFE= 2000(Min)@ IC= 1A APPLICATIONS ·DC-DC converter,relay drivers,lamp drivers,motor drivers, inverter 文件：295.56 Kbytes 頁數：2 Pages | ISC 無錫固電 | ISC | |
2SD2124 | Silicon NPN Darlington Transistor DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= 120V(Min) ·DC Current Gain- : hFE= 2000(Min)@ IC= 1A APPLICATIONS ·DC-DC converter,relay drivers,lamp drivers,motor drivers, inverter 文件：276.61 Kbytes 頁數：2 Pages | ISC 無錫固電 | ISC | |
2SD2124 | Silicon NPN Triple Diffused Application\nLow frequency power amplifier | Renesas 瑞薩 | Renesas | |
Silicon NPN Darlington Transistor DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= 120V(Min) ·DC Current Gain- : hFE= 2000(Min)@ IC= 1A APPLICATIONS ·DC-DC converter,relay drivers,lamp drivers,motor drivers, inverter 文件：295.56 Kbytes 頁數：2 Pages | ISC 無錫固電 | ISC | ||
Silicon NPN Darlington Transistor DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= 120V(Min) ·DC Current Gain- : hFE= 2000(Min)@ IC= 1A APPLICATIONS ·DC-DC converter,relay drivers,lamp drivers,motor drivers, inverter 文件：276.61 Kbytes 頁數：2 Pages | ISC 無錫固電 | ISC | ||
Silicon NPN Epitaxial Application Low frequency power amplifier 文件：148.44 Kbytes 頁數：7 Pages | RENESAS 瑞薩 | RENESAS | ||
Silicon NPN Epitaxial Application Low frequency power amplifier 文件：33.09 Kbytes 頁數：6 Pages | HITACHIHitachi Semiconductor 日立日立公司 | HITACHI | ||
Silicon NPN Epitaxial Application Low frequency power amplifier 文件：33.09 Kbytes 頁數：6 Pages | HITACHIHitachi Semiconductor 日立日立公司 | HITACHI |
晶體管資料
- 型號：
- 別名：
三極管、晶體管、晶體三極管
- 生產廠家：
- 制作材料：
Si-N+Darl+Di
- 性質：
低頻或音頻放大 （LF）_功率放大 （L）
- 封裝形式：
直插封裝
- 極限工作電壓：
120V
- 最大電流允許值：
1.5A
- 最大工作頻率：
<1MHZ或未知
- 引腳數：
3
- 可代換的型號：
2SD1464,2SD1465,
- 最大耗散功率：
18W
- 放大倍數：
β>2000
- 圖片代號：
A-80
- vtest：
120
- htest：
999900
- atest：
1.5
- wtest：
18
詳細參數
- 型號：
2SD2124
- 制造商：
HITACHI
- 制造商全稱：
Hitachi Semiconductor
- 功能描述：
Silicon NPN Epitaxial
| 供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
HITACHI/日立 |
25+ |
TO-252 |
45000 |
HITACHI/日立全新現(xiàn)貨2SD2124即刻詢購立享優(yōu)惠#長期有排單訂 |
詢價 | ||
HITACHI |
24+ |
TO-252 |
36800 |
詢價 | |||
RENESAS |
24+ |
SOT252 |
5000 |
只做原裝公司現(xiàn)貨 |
詢價 | ||
RENESAS/瑞薩 |
2447 |
SOT252 |
100500 |
一級代理專營品牌!原裝正品,優(yōu)勢現(xiàn)貨,長期排單到貨 |
詢價 | ||
HITACHI/日立 |
23+ |
SOT-252 |
50000 |
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨 |
詢價 | ||
RENESAS/瑞薩 |
22+ |
TO-252 |
100000 |
代理渠道/只做原裝/可含稅 |
詢價 | ||
HITACHI |
2023+環(huán)?，F(xiàn)貨 |
TO-252 |
18000 |
專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)等方案配套一站式服務 |
詢價 | ||
RENESAS |
23+ |
SOT252 |
4000 |
正品原裝貨價格低 |
詢價 | ||
HITACHI |
2023+ |
TO-252 |
50000 |
原裝現(xiàn)貨 |
詢價 | ||
TOSHIBA/東芝 |
23+ |
TO-252 |
6000 |
專注配單,只做原裝進口現(xiàn)貨 |
詢價 |
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