| 型號 | 下載 訂購 | 功能描述 | 制造商 上傳企業(yè) | LOGO |
|---|---|---|---|---|
2SD214 | isc Silicon NPN Power Transistor 文件：263.61 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages | ISC 無錫固電 | ISC | |
isc Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION ? Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= 140V(Min) ? Wide Area of Safe Operation ? Complement to Type 2SB1421 APPLICATIONS ? Designed for high power amplifications. ? Optimum for the output stage of a HiFi audio amplifier 文件：248.42 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages | ISC 無錫固電 | ISC | ||
Silicon NPN Triple Diffused Planar Transistor(Ignitor, Driver for Solenoid and Motor, and General Purpose) Built-in Avalanche Diode for Surge Absorbing Darlington Silicon NPN Triple Diffused Planar Transistor Application : Ignitor, Driver for Solenoid and Motor, and General Purpose 文件：23.94 Kbytes 頁數(shù)：1 Pages | SANKEN 三墾 | SANKEN | ||
isc Silicon NPN Darlington Power Transistor DESCRIPTION ? High DC Current Gain- : hFE = 1500(Min)@ IC= 3A ? Low Collector-Emitter Saturation Voltage- : VCE(sat) = 1.5V(Max)@ IC= 4A ? Incorporating a built-in zener diode ? Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS ? Designed for us 文件：255.02 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages | ISC 無錫固電 | ISC | ||
絲印：R1M；Package：SOT-23；SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors FEATURES Darlington Connection for a High hFE High Input Impedance 文件：2.93787 Mbytes 頁數(shù)：4 Pages | DGNJDZ 南晶電子 | DGNJDZ | ||
TRANSISOR (NPN) FEATURES ● Darlington Connection for a High hFE ● High Input Impedance 文件：430.45 Kbytes 頁數(shù)：1 Pages | HTSEMI 金譽(yù)半導(dǎo)體 | HTSEMI | ||
Silicon Epitaxial Planar Transistor FEATURES ● Darlington connection for a high Hfe ● High input impedance APPLICATIONS ● General purpose amplifiers. 文件：159.7 Kbytes 頁數(shù)：4 Pages | BILIN 銀河微電 | BILIN | ||
Plastic-Encapsulate Transistors TRANSISTOR (NPN) FEATURES ● Darlington Connection for a High hFE ● High Input Impedance 文件：271.4 Kbytes 頁數(shù)：1 Pages | JIANGSU 長電科技 | JIANGSU | ||
NPN Plastic Plastic-Encapsulate Transistor FEATURE ? Darlington connection for a high hFE. ? High input impedance. 文件：218.02 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages | SECOS 喜可士 | SECOS | ||
絲?。?a target="_blank" title="Marking" href="/5k/marking.html">5K*；Package：SMT3；High-gain Amplifier Transistor (30V, 0.3A) Features 1) Darlington connection for a high hFE. (DC current gain=5000(Min.)at VCE=3V, IC=10mA) 2) High input impedance. Application High gain amplifier 文件：70.69 Kbytes 頁數(shù)：3 Pages | ROHM 羅姆 | ROHM |
晶體管資料
- 型號：
- 別名：
三極管、晶體管、晶體三極管
- 生產(chǎn)廠家：
- 制作材料：
Si-NPN
- 性質(zhì)：
低頻或音頻放大 （LF）_開關(guān)管 （S）_功率放大 （L
- 封裝形式：
直插封裝
- 極限工作電壓：
130V
- 最大電流允許值：
10A
- 最大工作頻率：
<1MHZ或未知
- 引腳數(shù)：
2
- 可代換的型號：
BDX11,BDY19,BDY74,2N3442,2N3773,2SD551,2SD732,2SD733,3DK208C,
- 最大耗散功率：
100W
- 放大倍數(shù)：
- 圖片代號：
E-44
- vtest：
130
- htest：
999900
- atest：
10
- wtest：
100
技術(shù)參數(shù)
- IC：
6A
- PC：
35W
- hFEmin：
1500
- hFE條件VCE：
2V
- hFE條件IC：
3A
- VCE（sat）max：
1.5V
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
24+ |
TO-3 |
10000 |
全新 |
詢價 | |||
ROHM |
24+/25+ |
64594 |
原裝正品現(xiàn)貨庫存價優(yōu) |
詢價 | |||
ROHM |
25+ |
SOT |
1337 |
百分百原裝正品 真實(shí)公司現(xiàn)貨庫存 本公司只做原裝 可 |
詢價 | ||
ROHM |
24+ |
SOT-23 |
740 |
原裝現(xiàn)貨假一罰十 |
詢價 | ||
ROHM |
24+ |
8858 |
公司原廠原裝現(xiàn)貨假一罰十!特價出售!強(qiáng)勢庫存! |
詢價 | |||
ROHM |
24+ |
SOT23-3 |
5000 |
原裝現(xiàn)貨 |
詢價 | ||
ROHM |
2016+ |
SOT-23 |
11152 |
只做原裝,假一罰十,公司可開17%增值稅發(fā)票! |
詢價 | ||
ROHM |
23+ |
SOT-23 |
5000 |
原裝正品,假一罰十 |
詢價 | ||
ROHM |
TO92 |
5600 |
全新原裝進(jìn)口自己庫存優(yōu)勢 |
詢價 | |||
ROHM |
24+ |
TO-92S |
5000 |
只做原裝公司現(xiàn)貨 |
詢價 |
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