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Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= 32V(Min) ·DC Current Gain- : hFE= 82(Min)@ IC= 0.5A APPLICATIONS ·DC-DC converter,relay drivers,lamp drivers,motor drivers, inverter 文件：296.13 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages | ISC 無錫固電 | ISC | ||
Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= 32V(Min) ·DC Current Gain- : hFE= 82(Min)@ IC= 0.5A APPLICATIONS ·DC-DC converter,relay drivers,lamp drivers,motor drivers, inverter 文件：277.06 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages | ISC 無錫固電 | ISC | ||
絲?。?a target="_blank" title="Marking" href="/tl/marking.html">TL；Package：CPT3；Power transistor (40V, 2A) Features 1) Darlington connection for high DC current gain. 2) Built-in 4k? resistor between base and emitter. 3) Complements the 2SB1183 / 2SB1239. 文件：72.03 Kbytes 頁數(shù)：3 Pages | ROHM 羅姆 | ROHM | ||
Power Transistor (50V, 3A) Power Transistor (50V, 3A) Features 1) Low VCE(sat), VCE(sat) = 0.5V (Typ.) (IC/IB = 2A/0.2A) 2) Complements the 2SB1184 / 2SB1243 / 2SB1185. Structure Epitaxial planar type NPN silicon transistor 文件：81.97 Kbytes 頁數(shù)：3 Pages | ROHM 羅姆 | ROHM | ||
Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION ·Low Collector Saturation Voltage- : VCE(sat)= 0.5V(Typ)@ IC= 2A ·Good Linearity of hFE APPLICATIONS ·Power dissipation 文件：275.97 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages | ISC 無錫固電 | ISC | ||
絲印：TL；Package：CPT3；Power Transistor 50V, 3A Power Transistor (50V, 3A) Features 1) Low VCE(sat), VCE(sat) = 0.5V (Typ.) (IC/IB = 2A/0.2A) 2) Complements the 2SB1184 / 2SB1243 / 2SB1185. Structure Epitaxial planar type NPN silicon transistor 文件：77.01 Kbytes 頁數(shù)：3 Pages | ROHM 羅姆 | ROHM | ||
Power Transistor (50V, 3A) Power Transistor (50V, 3A) Features 1) Low VCE(sat), VCE(sat) = 0.5V (Typ.) (IC/IB = 2A/0.2A) 2) Complements the 2SB1184 / 2SB1243 / 2SB1185. Structure Epitaxial planar type NPN silicon transistor 文件：153.28 Kbytes 頁數(shù)：4 Pages | ROHM 羅姆 | ROHM | ||
Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION ·Low Collector Saturation Voltage- : VCE(sat)= 0.5V(Typ)@ IC= 2A ·Good Linearity of hFE APPLICATIONS ·Power dissipation 文件：268.36 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages | ISC 無錫固電 | ISC | ||
Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION ·Low Collector Saturation Voltage- : VCE(sat)= 0.5V(Typ)@ IC= 2A ·Good Linearity of hFE APPLICATIONS ·Power dissipation 文件：275.97 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages | ISC 無錫固電 | ISC | ||
Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION ·Low Collector Saturation Voltage- : VCE(sat)= 0.5V(Typ)@ IC= 2A ·Good Linearity of hFE APPLICATIONS ·Power dissipation 文件：268.36 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages | ISC 無錫固電 | ISC |
晶體管資料
- 型號：
- 別名：
三極管、晶體管、晶體三極管
- 生產廠家：
- 制作材料：
Si-NPN
- 性質：
HI.UEB_HI.BETA
- 封裝形式：
直插封裝
- 極限工作電壓：
60V
- 最大電流允許值：
2A
- 最大工作頻率：
<1MHZ或未知
- 引腳數(shù)：
3
- 可代換的型號：
2SC2665,2SD1207,2SD1265,
- 最大耗散功率：
1W
- 放大倍數(shù)：
β>800
- 圖片代號：
A-70
- vtest：
60
- htest：
999900
- atest：
2
- wtest：
1
技術參數(shù)
- VCEO (V)：
60
- hFE min.：
800
- hFE max.：
3200
- Pc (W)：
1
- Production Status：
Non-promotion
| 供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ROHM |
24+ |
30000 |
詢價 | ||||
NEC |
24+ |
4231 |
公司原廠原裝現(xiàn)貨假一罰十!特價出售!強勢庫存! |
詢價 | |||
NEC |
24+ |
6540 |
原裝現(xiàn)貨/歡迎來電咨詢 |
詢價 | |||
23+ |
斜頭管 |
24800 |
正品原裝貨價格低 |
詢價 | |||
NEC |
2447 |
TO-92L |
100500 |
一級代理專營品牌!原裝正品,優(yōu)勢現(xiàn)貨,長期排單到貨 |
詢價 | ||
NEC |
23+ |
TO-92L |
5000 |
原廠授權代理,海外優(yōu)勢訂貨渠道?？商峁┐罅繋齑?詳 |
詢價 | ||
24+ |
N/A |
62000 |
一級代理-主營優(yōu)勢-實惠價格-不悔選擇 |
詢價 | |||
FUJITS |
23+ |
TO-3 |
5000 |
專注配單,只做原裝進口現(xiàn)貨 |
詢價 | ||
NEC |
18+;19+ |
斜頭管 |
431 |
一級代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力 |
詢價 | ||
NEC |
22+ |
TO-92L |
100000 |
代理渠道/只做原裝/可含稅 |
詢價 |
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