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2SA1708	文件：632.53 Kbytes Page：5 Pages	Bipolar Transistor ??0V, ??A, Low VCE(sat) PNP Single PCP Features ? Adoption of FBET, MBIT processes ? High breakdown voltage, large current capacity ? Fast switching speed 文件：632.53 Kbytes 頁數(shù)：5 Pages	ONSEMI 安森美半導體	ONSEMI
2SA1708	文件：124.76 Kbytes Page：4 Pages	High-Voltage Switching Applications PNP / NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors Features ? Adoption of FBET, MBIT processes ? High breakdown voltage, large current capacity ? Fast switching speed 文件：124.76 Kbytes 頁數(shù)：4 Pages	SANYO 三洋	SANYO
2SA1708S-AN	文件：632.53 Kbytes Page：8 Pages	Bipolar Transistor Adoption of FBET, MBIT processes Features ? Adoption of FBET, MBIT processes ? High breakdown voltage, large current capacity ? Fast switching speed 文件：632.53 Kbytes 頁數(shù)：8 Pages	ONSEMI 安森美半導體	ONSEMI
2SA1708S-AN	文件：632.53 Kbytes Page：5 Pages	Bipolar Transistor ??0V, ??A, Low VCE(sat) PNP Single PCP Features ? Adoption of FBET, MBIT processes ? High breakdown voltage, large current capacity ? Fast switching speed 文件：632.53 Kbytes 頁數(shù)：5 Pages	ONSEMI 安森美半導體	ONSEMI
2SA1708T-AN	文件：632.53 Kbytes Page：5 Pages	Bipolar Transistor ??0V, ??A, Low VCE(sat) PNP Single PCP Features ? Adoption of FBET, MBIT processes ? High breakdown voltage, large current capacity ? Fast switching speed 文件：632.53 Kbytes 頁數(shù)：5 Pages	ONSEMI 安森美半導體	ONSEMI
2SA1708T-AN	文件：632.53 Kbytes Page：8 Pages	Bipolar Transistor Adoption of FBET, MBIT processes Features ? Adoption of FBET, MBIT processes ? High breakdown voltage, large current capacity ? Fast switching speed 文件：632.53 Kbytes 頁數(shù)：8 Pages	ONSEMI 安森美半導體	ONSEMI
2SA1709	文件：623.82 Kbytes Page：7 Pages	Bipolar Transistor High breakdown voltage, large current capacity Bipolar Transistor (-)100V, (-)2A, Low VCE(sat), (PNP)NPN Single NMP Features ? Adoption of FBET, MBIT processes ? High breakdown voltage, large current capacity ? Fast switching speed 文件：623.82 Kbytes 頁數(shù)：7 Pages	ONSEMI 安森美半導體	ONSEMI
2SA1709	文件：123.74 Kbytes Page：4 Pages	High-Voltage Switching Applications High-Voltage Switching Applications Features ? Adoption of FBET, MBIT processes ? High breakdown voltage, large current capacity ? Fast switching speed 文件：123.74 Kbytes 頁數(shù)：4 Pages	SANYO 三洋	SANYO
2SA1709S-AN	文件：623.82 Kbytes Page：7 Pages	Bipolar Transistor High breakdown voltage, large current capacity Bipolar Transistor (-)100V, (-)2A, Low VCE(sat), (PNP)NPN Single NMP Features ? Adoption of FBET, MBIT processes ? High breakdown voltage, large current capacity ? Fast switching speed 文件：623.82 Kbytes 頁數(shù)：7 Pages	ONSEMI 安森美半導體	ONSEMI
2SA1709T-AN	文件：623.82 Kbytes Page：7 Pages	Bipolar Transistor High breakdown voltage, large current capacity Bipolar Transistor (-)100V, (-)2A, Low VCE(sat), (PNP)NPN Single NMP Features ? Adoption of FBET, MBIT processes ? High breakdown voltage, large current capacity ? Fast switching speed 文件：623.82 Kbytes 頁數(shù)：7 Pages	ONSEMI 安森美半導體	ONSEMI

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晶體管資料

型號：
2SA1741
別名：
三極管、晶體管、晶體三極管
生產(chǎn)廠家：
制作材料：
Si-PNP
性質(zhì)：
開關管（S）_功率放大（L）
封裝形式：
直插封裝
極限工作電壓：
100V
最大電流允許值：
5A
最大工作頻率：
<1MHZ或未知
引腳數(shù)：
3
可代換的型號：
2SA1441,2SA1469,2SB595,2SB945,2SB1292,
最大耗散功率：
25W
放大倍數(shù)：
圖片代號：
B-38
vtest：
100
htest：
999900
atest：
5
wtest：
25

技術參數(shù)

Vcbo (V)：
-100
VCEO (V)：
-60
Vebo (V)：
-7
IC @25 °C (A)：
-5
VCE (sat) (V)：
-0.5
hFE：
100-400
Pc (W)：
25
fT (Typical) (GHz)：
0.08
Cob (Typical) (pF)：
130

供應商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
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貿(mào)澤芯城（深圳）電子科技有限公司	2SA1741	NEC	23+	TO-220	98030	原廠授權代理,海外優(yōu)勢訂貨渠道。可提供大量庫存,詳	詢價

更多2SA17供應商更新時間2026-1-19 10:16:00

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