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首頁 >2SA17>規(guī)格書列表

型號(hào)	下載訂購	功能描述	制造商上傳企業(yè)	LOGO
2SA1700	文件：78.25 Kbytes Page：3 Pages	High-Voltage Driver Applications High-Voltage Driver Applications Features ? High breakdown voltage. ? Adoption of MBIT process. ? Excellent hFE linearity. 文件：78.25 Kbytes 頁數(shù)：3 Pages	SANYO 三洋	SANYO
2SA1700	文件：189.12 Kbytes Page：4 Pages	HIGH VOLTAGE DRIVER APPLICATION HIGH VOLTAGE DRIVER APPLICATION ■ FEATURES * High breakdown voltage. * Excellent hFE linearity. 文件：189.12 Kbytes 頁數(shù)：4 Pages	UTC 友順	UTC
2SA1700	文件：234.77 Kbytes Page：6 Pages	PNP Epitaxial Planar Silicon Transistor FEATURES ● High breakdown voltage. ● Adoption of MBIT process. ● Excellent hFE linearity. 文件：234.77 Kbytes 頁數(shù)：6 Pages	BILIN 銀河微電	BILIN
2SA1700	文件：316.12 Kbytes Page：3 Pages	isc Silicon PNP Power Transistor DESCRIPTION ? High breakdown voltage ? Low Collector-Emitter Saturation Voltage ? High Power Dissipation- : PC= 10W@TC=25℃ ,PC= 10W@Ta=25℃ ? Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS ? For high voltage driver applications. 文件：316.12 Kbytes 頁數(shù)：3 Pages	ISC 無錫固電	ISC
2SA1700	文件：303.5 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistor DESCRIPTION ·High breakdown voltage ·Low Collector-Emitter Saturation Voltage ·High Power Dissipation- : PC= 10W@TC=25℃,PC= 10W@Ta=25℃ ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS ·For high voltage driver applications. 文件：303.5 Kbytes 頁數(shù)：3 Pages	ISC 無錫固電	ISC
2SA1700	文件：322.53 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistor DESCRIPTION ·High breakdown voltage ·Low Collector-Emitter Saturation Voltage ·High Power Dissipation- : PC= 10W@TC=25℃,PC= 10W@Ta=25℃ ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS ·For high voltage driver applications. 文件：322.53 Kbytes 頁數(shù)：3 Pages	ISC 無錫固電	ISC
2SA1700	文件：766.92 Kbytes Page：3 Pages	TO-251-3L Plastic-Encapsulate Transistors TRANSISTOR (PNP) FEATURES ● High Breakdown Voltage ● Adoption of MBIT Process ● Excellent hFE Linearity 文件：766.92 Kbytes 頁數(shù)：3 Pages	JIANGSU 長電科技	JIANGSU
2SA1700	文件：132.25 Kbytes Page：1 Pages	TRANSISTOR (NPN) TRANSISTOR (NPN) FEATURES Power dissipation PCM : 1 W (Tamb=25℃) Collector current ICM : -200 mA Collector-base voltage V(BR)CBO : -400 V Operating and storage junction temperature range TJ, Tstg: -55℃ to +150℃ 文件：132.25 Kbytes 頁數(shù)：1 Pages	WINNERJOIN 永而佳	WINNERJOIN
2SA1700	文件：1.02028 Mbytes Page：6 Pages	Silicon PNP transistor in a TO-252 Plastic Package. Descriptions Silicon PNP transistor in a TO-252 Plastic Package. Features High breakdown voltage, adoption of MBIT process excellent hFE linearity Applications High voltage driver applications. 文件：1.02028 Mbytes 頁數(shù)：6 Pages	FOSHAN 藍(lán)箭電子	FOSHAN
2SA1700	文件：62.33 Kbytes Page：1 Pages	Plastic-Encapsulated Transistors TRANSISTOR (NPN) FEATURES Power dissipation PCM : 1 W (Tamb=25℃) Collector current ICM : -200 mA Collector-base voltage V(BR)CBO : -400 V Operating and storage junction temperature range TJ, Tstg: -55℃ to +150℃ 文件：62.33 Kbytes 頁數(shù)：1 Pages	TEL	TEL

晶體管資料

型號(hào)：
2SA1741
別名：
三極管、晶體管、晶體三極管
生產(chǎn)廠家：
制作材料：
Si-PNP
性質(zhì)：
開關(guān)管（S）_功率放大（L）
封裝形式：
直插封裝
極限工作電壓：
100V
最大電流允許值：
5A
最大工作頻率：
<1MHZ或未知
引腳數(shù)：
3
可代換的型號(hào)：
2SA1441,2SA1469,2SB595,2SB945,2SB1292,
最大耗散功率：
25W
放大倍數(shù)：
圖片代號(hào)：
B-38
vtest：
100
htest：
999900
atest：
5
wtest：
25

技術(shù)參數(shù)

Vcbo (V)：
-100
VCEO (V)：
-60
Vebo (V)：
-7
IC @25 °C (A)：
-5
VCE (sat) (V)：
-0.5
hFE：
100-400
Pc (W)：
25
fT (Typical) (GHz)：
0.08
Cob (Typical) (pF)：
130

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫存	備注	價(jià)格
深圳市正納電子有限公司	2SA1741	RENESAS		TO220F	30000000	原裝進(jìn)口中國百強(qiáng)元器件分銷企業(yè) 專注RENESAS十年公司大量RENESAS現(xiàn)貨歡迎您的咨詢百年不變服務(wù)至上	詢價(jià)
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深圳市河鋒鑫科技有限公司	2SA1741	NEC	22+	TO-220	6000	十年配單,只做原裝	詢價(jià)
貿(mào)澤芯城（深圳）電子科技有限公司	2SA1741	NEC	23+	TO-220	98030	原廠授權(quán)代理,海外優(yōu)勢訂貨渠道。可提供大量庫存,詳	詢價(jià)

更多2SA17供應(yīng)商更新時(shí)間2026-1-19 10:16:00

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