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2SA1611W	文件：206.7 Kbytes Page：4 Pages	PNP Silicon Epitaxial Planar Transistor PNP Silicon Epitaxial Planar Transistor FEATURES High voltage VCEO=-50V. Excellent HFELinearity. High DC current gain : hFE=200 typ. Complementary to 2SC4177. APPLICATIONS Audio frequency general purpose amplifier applications. 文件：206.7 Kbytes 頁(yè)數(shù)：4 Pages	BILIN 銀河微電	BILIN
2SA1611W	文件：300 bytes Page：1 Pages	PNP Silicon Epitaxial Planar Transistor	Galaxy 銀河微電	Galaxy
2SA1611	文件：280.38 Kbytes Page：1 Pages	TRANSISTOR(PNP) TRANSISTOR(PNP) FEATURES High DC Current Gain High Voltage Complementary to 2SC4177 文件：280.38 Kbytes 頁(yè)數(shù)：1 Pages	HTSEMI 金譽(yù)半導(dǎo)體	HTSEMI
2SA1611	文件：48 Kbytes Page：1 Pages	PNP Silicon Epitaxia ■ Features ● High DC Current Gain ● High Voltage ● Complementary to 2SC4177 文件：48 Kbytes 頁(yè)數(shù)：1 Pages	KEXIN 科信電子	KEXIN
2SA1611	文件：128.52 Kbytes Page：2 Pages	Plastic-Encapsulated Transistors SOT-323 Plastic-Encapsulated Transistors FEATURES Power dissipation PCM : 0.15 W (Tamb=25℃) Collector current ICM : -0.1 A Collector-base voltage V(BR)CBO: -60 V Operating and storage junction temperature range TJ, Tstg: -55℃to +150℃ 文件：128.52 Kbytes 頁(yè)數(shù)：2 Pages	TEL	TEL

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