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首頁 >2SA1611>規(guī)格書列表

型號	下載訂購	功能描述	制造商上傳企業(yè)	LOGO
2SA1611	文件：194.83 Kbytes Page：4 Pages	AUDIO FREQUENCY GENERAL PURPOSE AMPLIFIER PNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR FEATURES ● Complementary to 2SC4177 ● High DC Current Gain: hFE = 200 TYP. (VCE = -6.0 V, Ic = -1.0 mA) ● High Voltage: VCEO = -50 VCE 文件：194.83 Kbytes 頁數(shù)：4 Pages	NEC 瑞薩	NEC
2SA1611	文件：322.72 Kbytes Page：6 Pages	SILICON TRANSISTOR AUDIO FREQUENCY, GENERAL PURPOSE AMPLIFIER PNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR 文件：322.72 Kbytes 頁數(shù)：6 Pages	RENESAS 瑞薩	RENESAS
2SA1611	文件：226.7 Kbytes Page：4 Pages	絲?。?a target="_blank" title="Marking" href="/m4/marking.html">M4；Package：SOT-323；PNP Silicon Epitaxial Planar Transistor FEATURES ● High voltage VCEO=-50V. ● Excellent HFE Linearity. ● High DC current gain : hFE=200 typ. ● Complementary to 2SC4177. APPLICATIONS ● Audio frequency general purpose amplifier applications. 文件：226.7 Kbytes 頁數(shù)：4 Pages	BILIN 銀河微電	BILIN
2SA1611	文件：280.38 Kbytes Page：1 Pages	TRANSISTOR(PNP) TRANSISTOR(PNP) FEATURES High DC Current Gain High Voltage Complementary to 2SC4177 文件：280.38 Kbytes 頁數(shù)：1 Pages	HTSEMI 金譽半導體	HTSEMI
2SA1611	文件：1.05005 Mbytes Page：4 Pages	SOT-323 Plastic-Encapsulate Transistors TRANSISTOR (PNP) FEATURES ● High DC Current Gain ● High Voltage ● Complementary to 2SC4177 文件：1.05005 Mbytes 頁數(shù)：4 Pages	JIANGSU 長電科技	JIANGSU
2SA1611	文件：48 Kbytes Page：1 Pages	PNP Silicon Epitaxia ■ Features ● High DC Current Gain ● High Voltage ● Complementary to 2SC4177 文件：48 Kbytes 頁數(shù)：1 Pages	KEXIN 科信電子	KEXIN
2SA1611	文件：109.78 Kbytes Page：1 Pages	PNP Silicon Plastic Encapsulated Transistor -0.1A , -60V PNP Silicon Plastic Encapsulated Transistor FEATURES High DC Current Gain High Voltage Complementary to 2SC4177 文件：109.78 Kbytes 頁數(shù)：1 Pages	SECOS 喜可士	SECOS
2SA1611	文件：1.88523 Mbytes Page：4 Pages	SOT-323 Plastic-Encapsulate Transistors FEATURES High DC Current Gain High Voltage Complementary to 2SC4177 文件：1.88523 Mbytes 頁數(shù)：4 Pages	DGNJDZ 南晶電子	DGNJDZ
2SA1611	文件：124.09 Kbytes Page：2 Pages	TRANSISTOR (PNP) TRANSISTOR (PNP) FEATURES Power dissipation PCM : 0.15 W (Tamb=25℃) Collector current ICM : -0.1 A Collector-base voltage V(BR)CBO: -60 V Operating and storage junction temperature range TJ, Tstg: -55℃to +150℃ 文件：124.09 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages	WINNERJOIN 永而佳	WINNERJOIN
2SA1611	文件：1.60625 Mbytes Page：3 Pages	PNP Plastic-Encapsulate Transistors FEATURES ● High DC Current Gain ● High Voltage ● Complementary to 2SC4177 文件：1.60625 Mbytes 頁數(shù)：3 Pages	SKTECHNOLGYSHIKE Electronics 時科廣東時科微實業(yè)有限公司	SKTECHNOLGY

晶體管資料

型號：
2SA1611
別名：
三極管、晶體管、晶體三極管
生產(chǎn)廠家：
制作材料：
Si-PNP
性質(zhì)：
表面帖裝型（SMD）_通用型（Uni）
封裝形式：
貼片封裝
極限工作電壓：
60V
最大電流允許值：
0.1A
最大工作頻率：
180MHZ
引腳數(shù)：
3
可代換的型號：
2SA1578,2SA1586,2SA1603,2SA1622,2SB1218A,
最大耗散功率：
放大倍數(shù)：
圖片代號：
H-15
vtest：
60
htest：
180000000
atest：
0.1
wtest：
0

技術參數(shù)

VCEO (V)：
-50
IC @25 °C (A)：
-0.1
VCE (sat) (V)：
-0.3
hFE：
90-600
Pc (W)：
0.15
fT (Typical) (GHz)：
0.18
Cob (Typical) (pF)：
4.5

供應商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
飛利飛科技有限公司	2SA1611	RENESAS	14+無鉛	SOT-323	25700	優(yōu)勢產(chǎn)品,博盛微熱賣!!!	詢價
深圳市河鋒鑫科技有限公司	2SA1611	RENESAS/瑞薩	20+	SOT-323	120000	原裝正品可含稅交易	詢價
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深圳市凱睿晟科技有限公司	2SA1611	CJ/長電	21+	SOT-323	30000	百域芯優(yōu)勢實單必成可開13點增值稅發(fā)票	詢價

更多2SA1611供應商更新時間2025-8-11 11:50:00

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