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首頁 >2N7002BK>規(guī)格書列表

型號(hào)	下載訂購	功能描述	制造商上傳企業(yè)	LOGO
2N7002BKV	文件：945.69 Kbytes Page：3 Pages	60V Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET Features ● Fast switching ● Green Device Available ● Suit for 1.5V Gate Drive Applications 文件：945.69 Kbytes 頁數(shù)：3 Pages	TECHPUBLIC 臺(tái)舟電子	TECHPUBLIC
2N7002BKW	文件：164.5 Kbytes Page：16 Pages	絲印：X9-；Package：SOT-323；60 V, 310 mA N-channel Trench MOSFET General description N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT323 (SC-70) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. Features and benefits ? Logic-level compatible ? Very fast switching ? Trench MOSFETtechnology ? E 文件：164.5 Kbytes 頁數(shù)：16 Pages	恩XP	恩XP
2N7002BKW	文件：724.88 Kbytes Page：16 Pages	絲?。?a target="_blank" title="Marking" href="/x9/marking.html">X9；Package：SC-70；60 V, 310 mA N-channel Trench MOSFET 1.1 General description N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT323 (SC-70) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 1.2 Features and benefits Logic-level compatible Very fast switching Trench MOSFET technology ESD pro 文件：724.88 Kbytes 頁數(shù)：16 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
2N7002BKW	文件：286.36 Kbytes Page：15 Pages	絲?。?a target="_blank" title="Marking" href="/x9/marking.html">X9；Package：SC-70；60 V, 310 mA N-channel Trench MOSFET 1. General description N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT323 (SC-70) Surface- Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 2. Features and benefits ? Logic-level compatible ? Very fast switching ? Trench MOSFET technology ? ESD 文件：286.36 Kbytes 頁數(shù)：15 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
2N7002BKW_V01	文件：286.36 Kbytes Page：15 Pages	60 V, 310 mA N-channel Trench MOSFET 1. General description N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT323 (SC-70) Surface- Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 2. Features and benefits ? Logic-level compatible ? Very fast switching ? Trench MOSFET technology ? ESD 文件：286.36 Kbytes 頁數(shù)：15 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
2N7002BK_15	文件：176.53 Kbytes Page：16 Pages	60 V, 350 mA N-channel Trench MOSFET 文件：176.53 Kbytes 頁數(shù)：16 Pages	PHI PHI	PHI
2N7002BKM	文件：151.98 Kbytes Page：17 Pages	60 V, 450 mA N-channel Trench MOSFET 文件：151.98 Kbytes 頁數(shù)：17 Pages	PHI PHI	PHI
2N7002BKM_15	文件：356.49 Kbytes Page：16 Pages	60 V, 450 mA N-channel Trench MOSFET 文件：356.49 Kbytes 頁數(shù)：16 Pages	PHI PHI	PHI
2N7002BKMB_15	文件：667.35 Kbytes Page：15 Pages	60 V, single N-channel Trench MOSFET 文件：667.35 Kbytes 頁數(shù)：15 Pages	PHI PHI	PHI
2N7002BKS	文件：384.54 Kbytes Page：16 Pages	絲?。?a target="_blank" title="Marking" href="/zt/marking.html">ZT*；Package：SOT-363；60 V, 300 mA dual N-channel Trench MOSFET 文件：384.54 Kbytes 頁數(shù)：16 Pages	PHI PHI	PHI

技術(shù)參數(shù)

Package name：
SOT23
Product status：
Production
Channel type：
N
Nr of transistors：
1
VDS [max] (V)：
60
RDSon [max] @ VGS = 10 V (mΩ)：
1600
RDSon [max] @ VGS = 5 V (mΩ)：
2000
Tj [max] (°C)：
150
ID [max] (A)：
0.35
QGD [typ] (nC)：
0.1
QG(tot) [typ] @ VGS = 4.5 V (nC)：
0.5
Ptot [max] (W)：
0.37
VGSth [typ] (V)：
1.6
Automotive qualified：
Y
Ciss [typ] (pF)：
33
Coss [typ] (pF)：
7
Release date：
2011-01-24

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫存	備注	價(jià)格
深圳市芯峰微電子科技有限公司	2N7002BK	恩XP	21+	SOT-23	48000	原裝現(xiàn)貨、工廠庫存	詢價(jià)
深圳市高捷芯城科技有限公司	2N7002BK	恩XP	24+	標(biāo)準(zhǔn)封裝	9548	全新原裝正品/價(jià)格優(yōu)惠/質(zhì)量保障	詢價(jià)
深圳市得捷芯城科技有限公司	2N7002BK	Nexperia(安世)	25+		7589	全新原裝現(xiàn)貨,支持排單訂貨,可含稅開票	詢價(jià)
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深圳市凌旭科技有限公司	2N7002BK	Nexperia/安世	21+	SOT-23	3946	十年信譽(yù),只做原裝,有掛就有現(xiàn)貨!	詢價(jià)
深圳市恒凱威科技開發(fā)有限公司	2N7002BK	恩XP	21+	SOT-23	22800	只做原裝,質(zhì)量保證	詢價(jià)
深圳市河鋒鑫科技有限公司	2N7002BK	NEXP	2020+PB	SOT-23	9500	原裝正品可含稅交易	詢價(jià)
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更多2N7002BK供應(yīng)商更新時(shí)間2026-1-19 14:02:00

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