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2N7002BKV	文件：379.26 Kbytes Page：16 Pages	絲?。?a target="_blank" title="Marking" href="/zg/marking.html">ZG；Package：SOT-666；60 V, 340 mA dual N-channel Trench MOSFET General description Dual N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in an ultra small SOT666 Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. Features and benefits ? Logic-level compatible ? Very fast switching ? Trench MOSFETtechnology 文件：379.26 Kbytes 頁數(shù)：16 Pages	恩XP	恩XP
2N7002BKV	文件：281.69 Kbytes Page：14 Pages	絲?。?a target="_blank" title="Marking" href="/zg/marking.html">ZG；Package：SOT666；60 V, 340 mA dual N-channel Trench MOSFET 1. General description Dual N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in an ultra small SOT666 Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 2. Features and benefits ? Logic-level compatible ? Very fast switching ? Trench MOSFET technology ? ESD 文件：281.69 Kbytes 頁數(shù)：14 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
2N7002BKV	文件：945.69 Kbytes Page：3 Pages	60V Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET Features ● Fast switching ● Green Device Available ● Suit for 1.5V Gate Drive Applications 文件：945.69 Kbytes 頁數(shù)：3 Pages	TECHPUBLIC 臺舟電子	TECHPUBLIC
2N7002BKV_15	文件：379.26 Kbytes Page：16 Pages	絲?。?a target="_blank" title="Marking" href="/zg/marking.html">ZG；Package：SOT-666；60 V, 340 mA dual N-channel Trench MOSFET 文件：379.26 Kbytes 頁數(shù)：16 Pages	PHI PHI	PHI
2N7002BKV	文件：300 bytes Page：1 Pages	60 V, 340 mA dual N-channel Trench MOSFET General description\nDual N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in an ultra small SOT666 Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.Features and benefits\n? Logic-level compatible\n? Very fast switching\n? Trench MOSFETtechnology\n? ESD protection	恩XP	恩XP
2N7002BKV	文件：300 bytes Page：1 Pages	60 V, 340 mA dual N-channel Trench MOSFET Dual N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in an ultra small SOT666 Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. ? Logic-level compatible\n? Very fast switching\n? Trench MOSFET technology\n? ESD protection up to 2 kV\n? AEC-Q101 qualified;	Nexperia 安世	Nexperia

技術(shù)參數(shù)

Package name：
SOT666
Product status：
Production
Channel type：
N
Nr of transistors：
2
VDS [max] (V)：
60
VGS [max] (V)：
20
RDSon [max] @ VGS = 10 V (mΩ)：
1600
RDSon [max] @ VGS = 5 V (mΩ)：
2000
integrated gate-source ESD protection diodes：
Y
VESD HBM (V)：
2000
Tj [max] (°C)：
150
ID [max] (A)：
0.34
QGD [typ] (nC)：
0.1
QG(tot) [typ] @ VGS = 4.5 V (nC)：
0.5
Ptot [max] (W)：
0.525
VGSth [typ] (V)：
1.6
Automotive qualified：
N
Ciss [typ] (pF)：
33
Coss [typ] (pF)：
7
Release date：
2011-01-24

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
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更多2N7002BKV供應(yīng)商更新時間2026-1-20 16:36:00

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