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    2N7000BU

    Advanced Small Signal MOSFET

    BVDSS = 60 V RDS(on) = 5.0 Ω ID = 200 mA FEATURES ● Fast Switching Times ● Improved Inductive Ruggedness ● Lower Input Capacitance ● Extended Safe Operating Area ● Improved High Temperature Reliability

    文件:85.23 Kbytes 頁(yè)數(shù):3 Pages

    FAIRCHILD

    仙童半導(dǎo)體

    2N7000BU

    Advanced Small-Signal MOSFET

    文件:157.68 Kbytes 頁(yè)數(shù):5 Pages

    FAIRCHILD

    仙童半導(dǎo)體

    2N7000BU_13

    Advanced Small-Signal MOSFET

    文件:157.68 Kbytes 頁(yè)數(shù):5 Pages

    FAIRCHILD

    仙童半導(dǎo)體

    2N7000CSM

    N.CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOS TRANSISTOR

    文件:18.83 Kbytes 頁(yè)數(shù):2 Pages

    SEME-LAB

    2N7000CSM

    N??HANNEL ENHANCEMENT MODE MOS TRANSISTOR

    文件:48.21 Kbytes 頁(yè)數(shù):2 Pages

    SEME-LAB

    2N7000G

    N-channel 60V - 1.8ohm - 0.35A - SOT23-3L / TO-92 STripFET Power MOSFET

    Description This Power MOSFET is the second generation of STMicroelectronics unique “single feature size” strip-based process. The resulting transistor shows extremely high packing density for low on resistance, rugged avalanche characteristics and less critical alignment steps therefore a remark

    文件:383.82 Kbytes 頁(yè)數(shù):14 Pages

    STMICROELECTRONICS

    意法半導(dǎo)體

    詳細(xì)參數(shù)

    • 型號(hào):

      2N7000BU

    • 功能描述:

      MOSFET 60V N-Channel Sm Sig

    • RoHS:

    • 制造商:

      STMicroelectronics

    • 晶體管極性:

      N-Channel

    • 汲極/源極擊穿電壓:

      650 V

    • 閘/源擊穿電壓:

      25 V

    • 漏極連續(xù)電流:

      130 A 電阻汲極/源極

    • RDS(導(dǎo)通):

      0.014 Ohms

    • 配置:

      Single

    • 安裝風(fēng)格:

      Through Hole

    • 封裝/箱體:

      Max247

    • 封裝:

      Tube

    供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
    ONSEMI/安森美
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    TO-92
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    1983
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    原包裝原封 □□
    11634
    原裝進(jìn)口特價(jià)供應(yīng) 特價(jià),原裝元器件供應(yīng),支持開發(fā)樣品 更多詳細(xì)咨詢 庫(kù)存
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    詢價(jià)
    更多2N7000BU供應(yīng)商 更新時(shí)間2026-1-22 20:02:00

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