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NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR DESCRIPTION: The ASI 2N6439 is a Common Emitter Device Designed For Large signal output amplifier stages in the 225-400 MHz range. FEATURES INCLUDE: ? Internal Input Matching Network ? 30:1 Load VSWR Capability ? All Gold Metalization 文件：27.34 Kbytes 頁數(shù)：1 Pages | ASI | ASI | ||
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60 W, 225 to 400 MHz CONTROLLED ????BROADBAND RF POWER TRANSISTOR NPN SILICON The RF Line NPN Silicon RF Power Transistor . . . designed primarily for wideband large–signal output amplifier stages in the 225 to 400 MHz frequency range. ? Guaranteed Performance in 225 to 400 MHz Broadband Amplifier @ 28 Vdc Output Power = 60 Watts over 225 to 400 MHz Band Minimu 文件：127.25 Kbytes 頁數(shù)：6 Pages | MOTOROLA 摩托羅拉 | MOTOROLA | ||
BROADBAND RF POWER TRANSISTOR The RF Line NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR . . . designed primarily for wideband large–signal output amplifier stages in the 225-400 MHz frequency range. ? Guaranteed Performance in 225 to 400 MHz Broadband Amplifier @ 28 Vdc Output Power = 60 Watts over 225-400 MHz Band Minimum Gain 文件：197.5 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages | NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體公司 | NJSEMI | ||
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N-Channel Silicon Junction Field-Effect Transistor N-Channel Silicon Junction Field-Effect Transistor ? Audio Amplifiers ? Low-Noise, High Gain Amplifiers ? Low-Noise Preamplifiers 文件：93.66 Kbytes 頁數(shù)：1 Pages | INTERFET | INTERFET | ||
N-CHANNEL JFET Description: N-Channel JFET 文件：92.16 Kbytes 頁數(shù)：1 Pages | NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體公司 | NJSEMI |
晶體管資料
- 型號：
- 別名：
三極管、晶體管、晶體三極管
- 生產(chǎn)廠家：
- 制作材料：
Si-N+Darl
- 性質(zhì)：
通用型 （Uni）
- 封裝形式：
直插封裝
- 極限工作電壓：
40V
- 最大電流允許值：
0.5A
- 最大工作頻率：
<1MHZ或未知
- 引腳數(shù)：
3
- 可代換的型號：
BC517,BC617,MPS-A25,MPS-A26,MPS-A27,MPS-A28,MPS-A29,2SD892A,
- 最大耗散功率：
0.625W
- 放大倍數(shù)：
β>20000
- 圖片代號：
A-31
- vtest：
40
- htest：
999900
- atest：
0.5
- wtest：
0.625
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號：
2N6426
- 制造商：
onsemi
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個
- 包裝：
剪切帶（CT）帶盒（TB）
- 晶體管類型：
NPN - 達(dá)林頓
- 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降（最大值）：
1.5V @ 500μA，500mA
- 電流 - 集電極截止（最大值）：
1μA
- 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：
30000 @ 100mA，5V
- 工作溫度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安裝類型：
通孔
- 封裝/外殼：
TO-226-3，TO-92-3 長體
- 供應(yīng)商器件封裝：
TO-92（TO-226）
- 描述：
TRANS NPN DARL 40V 0.5A TO92
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
onsemi |
25+ |
TO-92(TO-226) |
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