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首頁(yè) >2N6436>規(guī)格書(shū)列表

型號(hào)	下載訂購(gòu)	功能描述	制造商上傳企業(yè)	LOGO
2N6436	文件：198.54 Kbytes Page：4 Pages	HIGH-POWER PNP SILICON TRANSISTORS HIGH-POWER PNP SILICON TRANSISTORS ... designed for use in industrial power amplifiers and switching circuit applications. FEATURES: * High DC Current Gain hFE=20-80?lc= 10A = 12 (Min)?lc=25A * Low Collector-Emitter Saturation Voltage VCB(sat)= 1.0V (Max.) @ lc = 10 A, IB= 1.0A * Complementto 文件：198.54 Kbytes 頁(yè)數(shù)：4 Pages	BOCA 博卡	BOCA
2N6436	文件：191.65 Kbytes Page：4 Pages	POWER TRANSISTORS(25A,200W) HIGH-POWER PNP SILICON TRANSISTORS ... designed for use in industrial power amplifiers and switching circuit applications. FEATURES: * High DC Current Gain hFE=20-80?lc=10A =12 (Min)?lc=25A * Low Collector-Emitter Saturation Voltage VCB(sat)= 1.0V (Max.) @ lc = 10 A, IB 文件：191.65 Kbytes 頁(yè)數(shù)：4 Pages	MOSPEC 統(tǒng)懋	MOSPEC
2N6436	文件：131.86 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION ? With TO-3 package ? High DC current gain ? Fast switching times ? Low collector saturation voltage ? Complement to type 2N6338~2N6341 APPLICATIONS ? For use in industrial-military power amplifier and switching circuit applications 文件：131.86 Kbytes 頁(yè)數(shù)：3 Pages	ISC 無(wú)錫固電	ISC
2N6436	文件：86.43 Kbytes Page：2 Pages	HIGH-POWER PNP SILICON TRANSISTORS HIGH-POWER PNP SILICON TRANSISTORS ... designed for use in industrial power amplifiers and switching circuit applications. FEATURES: * High DC Current Gain hFE=20-80?lc=10A =12 (Min)?lc=25A * Low Collector-Emitter Saturation Voltage VCB(sat)= 1.0V (Max.) @ lc = 10 A, IB= 1.0A * Complementto2N 文件：86.43 Kbytes 頁(yè)數(shù)：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體公司	NJSEMI
2N6436	文件：113.6 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION ? With TO-3 package ? High DC current gain ? Fast switching times ? Low collector saturation voltage ? Complement to type 2N6338~2N6341 APPLICATIONS ? For use in industrial-military power amplifier and switching circuit applications 文件：113.6 Kbytes 頁(yè)數(shù)：3 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
2N6436	文件：41.79 Kbytes Page：2 Pages	HIGH POWER PNP SILICON TRANSISTORS DESCRIPTION Designed for use in Industrial - Military Power Amplifier and Switching Circuit Applications 文件：41.79 Kbytes 頁(yè)數(shù)：2 Pages	SEME-LAB	SEME-LAB
2N6436	文件：115.18 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistors 文件：115.18 Kbytes 頁(yè)數(shù)：3 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
2N6436	文件：300 bytes Page：1 Pages	三極管	Mospec 統(tǒng)懋	Mospec
2N6436	文件：300 bytes Page：1 Pages	PNP Transistor	Microchip 微芯科技	Microchip
2N6436	文件：100 bytes Page：1 Pages	包裝：散裝類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個(gè) 描述：PNP TRANSISTOR	MICROCHIP 微芯科技	MICROCHIP

晶體管資料

型號(hào)：
2N6436
別名：
三極管、晶體管、晶體三極管
生產(chǎn)廠家：
制作材料：
Si-PNP
性質(zhì)：
開(kāi)關(guān)管（S）_功率放大（L）
封裝形式：
直插封裝
極限工作電壓：
100V
最大電流允許值：
25A
最大工作頻率：
>40MHZ
引腳數(shù)：
2
可代換的型號(hào)：
2N6377,2N6378,2N6379,
最大耗散功率：
200W
放大倍數(shù)：
圖片代號(hào)：
E-44
vtest：
100
htest：
40000100
atest：
25
wtest：
200

產(chǎn)品屬性

產(chǎn)品編號(hào)：
2N6436
制造商：
Microchip Technology
類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個(gè)
包裝：
散裝
描述：
PNP TRANSISTOR

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫(kù)存	備注	價(jià)格
深圳市一線半導(dǎo)體有限公司	2N6436		24+	TO-3	10000	全新	詢價(jià)
深圳市艾宇欣科技有限公司	2N6436	Microsemi	1942+	N/A	908	加我qq或微信，了解更多詳細(xì)信息,體驗(yàn)一站式購(gòu)物	詢價(jià)
深圳市科雨電子有限公司	2N6436	MICROSEMI	25+	SMD	26	就找我吧!--邀您體驗(yàn)愉快問(wèn)購(gòu)元件!	詢價(jià)
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更多2N6436供應(yīng)商更新時(shí)間2026-1-19 14:01:00

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