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Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION ? With TO-3 package ? High DC current gain ? Fast switching times ? Low collector saturation voltage ? Complement to type 2N6338~2N6341 APPLICATIONS ? For use in industrial-military power amplifier and switching circuit applications 文件：113.6 Kbytes 頁數(shù)：3 Pages | SAVANTIC | SAVANTIC | ||
HIGH POWER PNP SILICON TRANSISTORS DESCRIPTION Designed for use in Industrial - Military Power Amplifier and Switching Circuit Applications 文件：41.79 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages | SEME-LAB | SEME-LAB | ||
HIGH-POWER PNP SILICON TRANSISTORS HIGH-POWER PNP SILICON TRANSISTORS ... designed for use in industrial power amplifiers and switching circuit applications. FEATURES: * High DC Current Gain hFE=20-80?lc=10A =12 (Min)?lc=25A * Low Collector-Emitter Saturation Voltage VCB(sat)= 1.0V (Max.) @ lc = 10 A, IB= 1.0A * Complementto2N 文件：86.43 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages | NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體公司 | NJSEMI | ||
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POWER TRANSISTORS PNP SILICON High-Power PNP Silicon Transistors . . . designed for use in industrial–military power amplifier and switching circuit applications. ? High Collector–Emitter Sustaining Voltage — VCEO(sus) = 100 Vdc (Min) — 2N6437 = 120 Vdc (Min) — 2N6438 ? High DC Current Gain — hFE = 20–80 @IC = 10 Adc = 12 ( 文件：131.28 Kbytes 頁數(shù)：6 Pages | ONSEMI 安森美半導(dǎo)體 | ONSEMI | ||
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POWER TRANSISTORS(25A,200W) HIGH-POWER PNP SILICON TRANSISTORS ... designed for use in industrial power amplifiers and switching circuit applications. FEATURES: * High DC Current Gain hFE=20-80?lc=10A =12 (Min)?lc=25A * Low Collector-Emitter Saturation Voltage VCB(sat)= 1.0V (Max.) @ lc = 10 A, IB 文件：191.65 Kbytes 頁數(shù)：4 Pages | MOSPEC 統(tǒng)懋 | MOSPEC | ||
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isc Silicon PNP Power Transistor FEATURES ·Collector-Emitter Sustaining Voltage- : VCEO(SUS)= -120V(Min) ·Low Saturation Voltage- : VCE(sat)= -1.0V(Max)@ IC= -10A DESCRIPTION ·Designed for use in power amplifier and switching circuits applications. 文件：267.28 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages | ISC 無錫固電 | ISC | ||
POWER TRANSISTOR The RF Line NPN Silicon RF Power Transistor . . . designed primarily for wideband large–signal output amplifier stages in the 225 to 400 MHz frequency range. ? Guaranteed Performance in 225 to 400 MHz Broadband Amplifier @ 28 Vdc Output Power = 60 Watts over 225 to 400 MHz Band Minimu 文件：137.68 Kbytes 頁數(shù)：6 Pages | MACOM | MACOM |
晶體管資料
- 型號：
- 別名：
三極管、晶體管、晶體三極管
- 生產(chǎn)廠家：
- 制作材料：
Si-N+Darl
- 性質(zhì)：
通用型 （Uni）
- 封裝形式：
直插封裝
- 極限工作電壓：
40V
- 最大電流允許值：
0.5A
- 最大工作頻率：
<1MHZ或未知
- 引腳數(shù)：
3
- 可代換的型號：
BC517,BC617,MPS-A25,MPS-A26,MPS-A27,MPS-A28,MPS-A29,2SD892A,
- 最大耗散功率：
0.625W
- 放大倍數(shù)：
β>20000
- 圖片代號：
A-31
- vtest：
40
- htest：
999900
- atest：
0.5
- wtest：
0.625
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號：
2N6426
- 制造商：
onsemi
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個
- 包裝：
剪切帶（CT）帶盒（TB）
- 晶體管類型：
NPN - 達(dá)林頓
- 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降（最大值）：
1.5V @ 500μA，500mA
- 電流 - 集電極截止（最大值）：
1μA
- 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：
30000 @ 100mA，5V
- 工作溫度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安裝類型：
通孔
- 封裝/外殼：
TO-226-3，TO-92-3 長體
- 供應(yīng)商器件封裝：
TO-92（TO-226）
- 描述：
TRANS NPN DARL 40V 0.5A TO92
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
onsemi |
25+ |
TO-92(TO-226) |
18798 |
正規(guī)渠道,免費(fèi)送樣。支持賬期,BOM一站式配齊 |
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MOT |
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SMD |
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TO-92 |
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