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COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS These devices are designed for use in general?purpose amplifier and switching applications. Features ? DC Current Gain Specified to 15 Amperes ? hFE = 20?150 @ IC = 5.0 Adc = 5.0 (Min) @ IC = 15 Adc ? Collector?Emitter Sustaining Voltage ? VCEO(sus) = 60 Vdc (Min) ? 文件：151.26 Kbytes 頁數(shù)：6 Pages | ONSEMI 安森美半導(dǎo)體 | ONSEMI | ||
NPN/PNP PLASTIC POWER TRANSISTORS 2N6486, 6487, 6488 NPN PLASTIC POWER TRANSISTORS 2N6489, 6490, 6491 PNP PLASTIC POWER TRANSISTORS General Purpose Amplifier and Switching Applications 文件：26.12 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages | BOCA 博卡 | BOCA | ||
PLASTIC POWER TRANSISTORS 2N6486, 6487, 6488 NPN PLASTIC POWER TRANSISTORS 2N6489, 6490, 6491 PNP PLASTIC POWER TRANSISTORS General Purpose Amplifier and Switching Applications 文件：272.94 Kbytes 頁數(shù)：3 Pages | CDIL | CDIL | ||
NPN SILICON TRANSISTOR DESCRIPTION The CENTRAL SEMICONDUCTOR 2N5294, 5296 and 5298 types are silicon NPN transistors that are manufactured by the epitaxial base process and designed for applications that require power amplifier and medium switching capablilites. 文件：71.78 Kbytes 頁數(shù)：1 Pages | CENTRAL | CENTRAL | ||
Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION ? With TO-220 package ? Excellent safe operating area ? Complement to type 2N6489 2N6490 2N6491 respectively APPLICATIONS ? Power amplifier and medium speed switching applications 文件：134.96 Kbytes 頁數(shù)：3 Pages | ISC 無錫固電 | ISC | ||
isc Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION ·DC Current Gain Specified to 15 Amperes- : hFE =20-150@ IC= 5.0A =5.0(Min)@ IC= 15A ·Collector-Emitter Sustaining Voltage- : VCEO(SUS)= 60V(Min) ·Complement to Type 2N6490 APPLICATIONS ·Designed for use in general-purpose amplifier and switching applications 文件：261 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages | ISC 無錫固電 | ISC | ||
Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION ? With TO-220 package ? Excellent safe operating area ? Complement to type 2N6489 2N6490 2N6491 respectively APPLICATIONS ? Power amplifier and medium speed switching applications 文件：100.25 Kbytes 頁數(shù)：3 Pages | JMNIC 錦美電子 | JMNIC | ||
SILICON N-P-N AND P-N-P EPITAXIAL-BASE VERSAWATT TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON PLASTIC POWER TRANSISTORS ... designedfor use In general-purpose amplifier and switching applications. FEATURES: * Collector-Emitter Sustaining Vottage VCEO(sus) = 40 V (Min) -2N6486, 2N6489 = 60 V (Min) -2N6487, 2N6490 文件：236.74 Kbytes 頁數(shù)：1 Pages | NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體公司 | NJSEMI | ||
NPN/PNP PLASTIC POWER TRANSISTORS 2N6486, 6487, 6488 NPN PLASTIC POWER TRANSISTORS 2N6489, 6490, 6491 PNP PLASTIC POWER TRANSISTORS General Purpose Amplifier and Switching Applications 文件：26.12 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages | BOCA 博卡 | BOCA | ||
COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS These devices are designed for use in general?purpose amplifier and switching applications. Features ? DC Current Gain Specified to 15 Amperes ? hFE = 20?150 @ IC = 5.0 Adc = 5.0 (Min) @ IC = 15 Adc ? Collector?Emitter Sustaining Voltage ? VCEO(sus) = 60 Vdc (Min) ? 文件：151.26 Kbytes 頁數(shù)：6 Pages | ONSEMI 安森美半導(dǎo)體 | ONSEMI |
晶體管資料
- 型號：
- 別名：
三極管、晶體管、晶體三極管
- 生產(chǎn)廠家：
- 制作材料：
Si-N+Darl
- 性質(zhì)：
通用型 （Uni）
- 封裝形式：
直插封裝
- 極限工作電壓：
40V
- 最大電流允許值：
0.5A
- 最大工作頻率：
<1MHZ或未知
- 引腳數(shù)：
3
- 可代換的型號：
BC517,BC617,MPS-A25,MPS-A26,MPS-A27,MPS-A28,MPS-A29,2SD892A,
- 最大耗散功率：
0.625W
- 放大倍數(shù)：
β>20000
- 圖片代號：
A-31
- vtest：
40
- htest：
999900
- atest：
0.5
- wtest：
0.625
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號：
2N6426
- 制造商：
onsemi
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個
- 包裝：
剪切帶（CT）帶盒（TB）
- 晶體管類型：
NPN - 達林頓
- 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降（最大值）：
1.5V @ 500μA，500mA
- 電流 - 集電極截止（最大值）：
1μA
- 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：
30000 @ 100mA，5V
- 工作溫度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安裝類型：
通孔
- 封裝/外殼：
TO-226-3，TO-92-3 長體
- 供應(yīng)商器件封裝：
TO-92（TO-226）
- 描述：
TRANS NPN DARL 40V 0.5A TO92
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
onsemi |
25+ |
TO-92(TO-226) |
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TO-92 |
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