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SI NPN POWER BJT Epitaxial-Base, Silicon NPN and PNP VERSAWATT Transistors 文件：122.62 Kbytes 頁(yè)數(shù)：1 Pages | NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體公司 | NJSEMI | ||
Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION ? With TO-220 package ? Low collector saturation voltage ? Excellent safe operating area APPLICATIONS ? General-purpose medium power for switching and amplifier applications 文件：94.03 Kbytes 頁(yè)數(shù)：3 Pages | SAVANTIC | SAVANTIC | ||
Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION ? With TO-220 package ? Low collector saturation voltage ? Excellent safe operating area APPLICATIONS ? General-purpose medium power for switching and amplifier applications 文件：93.74 Kbytes 頁(yè)數(shù)：3 Pages | SAVANTIC | SAVANTIC | ||
EPITAXIAL-BASE, SILICON N-P-N AND P-N-P VERSAWATT TRANSISTORS Epitaxial-Base, Silicon NPN and PNP VERSAWATT Transistors General-Purpose Medium-Power Types for Switching and Amplifier Applications 文件：101.31 Kbytes 頁(yè)數(shù)：3 Pages | BOCA 博卡 | BOCA | ||
NPN SILICON TRANSISTOR DESCRIPTION The CENTRAL SEMICONDUCTOR 2N5294, 5296 and 5298 types are silicon NPN transistors that are manufactured by the epitaxial base process and designed for applications that require power amplifier and medium switching capablilites. 文件：71.78 Kbytes 頁(yè)數(shù)：1 Pages | CENTRAL | CENTRAL | ||
COMPLEMENTARY SILICON SWITCHING TRANSITORS Power Transistors TO-220 Case 文件：84.2 Kbytes 頁(yè)數(shù)：1 Pages | CENTRAL | CENTRAL | ||
Power Transistors Power Transistors 文件：347.98 Kbytes 頁(yè)數(shù)：8 Pages | ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分類(lèi)制造商 | ETC | ||
Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION ? With TO-220 package ? Low collector saturation voltage ? Excellent safe operating area APPLICATIONS ? General-purpose medium power for switching and amplifier applications 文件：59.75 Kbytes 頁(yè)數(shù)：3 Pages | ISC 無(wú)錫固電 | ISC | ||
MAXIMUM RATINGS, ABSOLUTE-MAXIMUM VALUOS Epitaxial-Base, Silicon NPN and PNP VERSAWATT Transistors 文件：193.33 Kbytes 頁(yè)數(shù)：2 Pages | NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體公司 | NJSEMI | ||
SI PNP POWER BJT Epitaxial-Base, Silicon NPN and PNP VERSAWATT Transistors 文件：81.22 Kbytes 頁(yè)數(shù)：1 Pages | NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體公司 | NJSEMI |
晶體管資料
- 型號(hào)：
- 別名：
三極管、晶體管、晶體三極管
- 生產(chǎn)廠家：
- 制作材料：
Si-N+Darl
- 性質(zhì)：
通用型 （Uni）
- 封裝形式：
直插封裝
- 極限工作電壓：
40V
- 最大電流允許值：
0.5A
- 最大工作頻率：
<1MHZ或未知
- 引腳數(shù)：
3
- 可代換的型號(hào)：
BC517,BC617,MPS-A25,MPS-A26,MPS-A27,MPS-A28,MPS-A29,2SD892A,
- 最大耗散功率：
0.625W
- 放大倍數(shù)：
β>20000
- 圖片代號(hào)：
A-31
- vtest：
40
- htest：
999900
- atest：
0.5
- wtest：
0.625
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號(hào)：
2N6426
- 制造商：
onsemi
- 類(lèi)別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個(gè)
- 包裝：
剪切帶（CT）帶盒（TB）
- 晶體管類(lèi)型：
NPN - 達(dá)林頓
- 不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降（最大值）：
1.5V @ 500μA，500mA
- 電流 - 集電極截止（最大值）：
1μA
- 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)（最小值）：
30000 @ 100mA，5V
- 工作溫度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安裝類(lèi)型：
通孔
- 封裝/外殼：
TO-226-3，TO-92-3 長(zhǎng)體
- 供應(yīng)商器件封裝：
TO-92（TO-226）
- 描述：
TRANS NPN DARL 40V 0.5A TO92
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
onsemi |
25+ |
TO-92(TO-226) |
18798 |
正規(guī)渠道,免費(fèi)送樣。支持賬期,BOM一站式配齊 |
詢(xún)價(jià) | ||
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新 |
2500 |
全新原裝 貨期兩周 |
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FAIRCHILD/仙童 |
23+ |
TO-92 |
50000 |
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨 |
詢(xún)價(jià) |
