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2N6247 | SILICON PNP EPITAXIAL BASE HIGH POWER TRANSISTORS [GE SOLID STATE] SILICON PNP EPITAXIAL BASE HIGH POWER TRANSISTORS 文件：359.27 Kbytes 頁數(shù)：7 Pages | ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分類制造商 | ETC | |
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2N6247 | Silicon PNP Power Transistors 文件：115.5 Kbytes 頁數(shù)：3 Pages | SAVANTIC | SAVANTIC | |
2N6247 | Bipolar PNP Device in a Hermetically sealed TO3 Metal Package 文件：11.3 Kbytes 頁數(shù)：1 Pages | SEME-LAB | SEME-LAB | |
2N6247 | PNP Transistor | Microchip 微芯科技 | Microchip | |
2N6247 | Package：TO-204AA，TO-3；包裝：散裝 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個(gè) 描述：POWER BJT | MICROCHIP 微芯科技 | MICROCHIP |
晶體管資料
- 型號(hào)：
- 別名：
三極管、晶體管、晶體三極管
- 生產(chǎn)廠家：
- 制作材料：
Si-PNP
- 性質(zhì)：
低頻或音頻放大 （LF）_開關(guān)管 （S）_功率放大 （L
- 封裝形式：
直插封裝
- 極限工作電壓：
90V
- 最大電流允許值：
15A
- 最大工作頻率：
>6MHZ
- 引腳數(shù)：
2
- 可代換的型號(hào)：
BD318,BD546c,MJ2955,2N6029,2N6030,2N6031,2N6229,2N6377,3CK108C,
- 最大耗散功率：
125W
- 放大倍數(shù)：
- 圖片代號(hào)：
E-44
- vtest：
90
- htest：
6000100
- atest：
15
- wtest：
125
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號(hào)：
2N6247
- 制造商：
Microchip Technology
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個(gè)
- 包裝：
散裝
- 晶體管類型：
PNP
- 工作溫度：
-65°C ~ 200°C（TJ）
- 安裝類型：
通孔
- 封裝/外殼：
TO-204AA，TO-3
- 供應(yīng)商器件封裝：
TO-204AD（TO-3）
- 描述：
POWER BJT
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
MOTOROLA/摩托羅拉 |
25+ |
TO-66 |
45000 |
MOTOROLA/摩托羅拉全新現(xiàn)貨2N6247即刻詢購(gòu)立享優(yōu)惠#長(zhǎng)期有排單訂 |
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24+ |
TO-66 |
10000 |
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MOTOROLA |
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原裝現(xiàn)貨假一罰十 |
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Microchip Technology |
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TO-204AA TO-3 |
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Microchip Technology / Atmel |
25+ |
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RCA |
新 |
5 |
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