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首頁 >2N6285>規(guī)格書列表

型號	下載訂購	功能描述	制造商上傳企業(yè)	LOGO
2N6285	文件：214.32 Kbytes Page：6 Pages	DARLINGTON COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS Darlington Complementary Silicon Power Transistors . . . designed for general–purpose amplifier and low–frequency switching applications. ? High DC Current Gain @ IC = 10 Adc — hFE = 2400 (Typ) — 2N6282, 2N6283, 2N6284 hFE = 4000 (Typ) — 2N6285, 2N6286, 2N6287 ? Collector–Emitter Sustai 文件：214.32 Kbytes 頁數(shù)：6 Pages	ONSEMI 安森美半導體	ONSEMI
2N6285	文件：218.76 Kbytes Page：4 Pages	DARLINGTON COPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS 文件：218.76 Kbytes 頁數(shù)：4 Pages	BOCA 博卡	BOCA
2N6285	文件：51.69 Kbytes Page：1 Pages	POWER TRANSISTORS TO-3 CASE Power Transistors TO-3 Case (Continued) 文件：51.69 Kbytes 頁數(shù)：1 Pages	CENTRAL	CENTRAL
2N6285	文件：489.75 Kbytes Page：2 Pages	COMPLEMENTARY SILICON DARLINGTON POWER TRANSISTORS Power Transistors TO-3 Case (Continued) 文件：489.75 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages	CENTRAL	CENTRAL
2N6285	文件：211.87 Kbytes Page：4 Pages	POWER TRANSISTORS(20A,160W) 文件：211.87 Kbytes 頁數(shù)：4 Pages	MOSPEC 統(tǒng)懋	MOSPEC
2N6285	文件：80.16 Kbytes Page：3 Pages	PNP DARLINGTON POWER SILICON TRANSISTOR PNP DARLINGTON POWER SILICON TRANSISTOR The 2N6285, 2N6286 and 2N6287 are mounted in TO-3 metal package. They are designed for use in general–purpose amplifier and low–frequency switching applications. The complementary NPN are 2N6282, 2N6283, 2N6284 Compliance to RoHS. 文件：80.16 Kbytes 頁數(shù)：3 Pages	COMSET	COMSET
2N6285	文件：347.98 Kbytes Page：8 Pages	Power Transistors Power Transistors 文件：347.98 Kbytes 頁數(shù)：8 Pages	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分類制造商	ETC
2N6285	文件：132.1 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION ? With TO-3 package ? Complement to type 2N6282/6283/6284 ? High DC current gain ? DARLINGTON APPLICATIONS ? For use in general-purpose amplifier and low-frequency switching applications 文件：132.1 Kbytes 頁數(shù)：3 Pages	ISC 無錫固電	ISC
2N6285	文件：229.44 Kbytes Page：2 Pages	COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE 文件：229.44 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新澤西半導體新澤西半導體公司	NJSEMI
2N6285	文件：114.21 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION ? With TO-3 package ? Complement to type 2N6282/6283/6284 ? High DC current gain ? DARLINGTON APPLICATIONS ? For use in general-purpose amplifier and low-frequency switching applications 文件：114.21 Kbytes 頁數(shù)：3 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC

晶體管資料

型號：
2N6285
別名：
三極管、晶體管、晶體三極管
生產(chǎn)廠家：
制作材料：
Si-P+Darl+Di
性質：
低頻或音頻放大（LF）_開關管（S）_功率放大（L
封裝形式：
貼片封裝
極限工作電壓：
60V
最大電流允許值：
20A
最大工作頻率：
<1MHZ或未知
引腳數(shù)：
2
可代換的型號：
BDX66,BDX68A,BDX68B,BDX68C,MJ4030,MJ11011,TIP645,2SB694,
最大耗散功率：
160W
放大倍數(shù)：
β>750
圖片代號：
E-44
vtest：
60
htest：
999900
atest：
20
wtest：
160

產(chǎn)品屬性

產(chǎn)品編號：
2N6285
制造商：
Microchip Technology
類別：
分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個
包裝：
散裝
晶體管類型：
PNP - 達林頓
不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降（最大值）：
3V @ 200mA，20A
電流 - 集電極截止（最大值）：
1mA
不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：
750 @ 10A，3V
工作溫度：
-65°C ~ 200°C（TJ）
安裝類型：
表面貼裝型
封裝/外殼：
模具
供應商器件封裝：
模具
描述：
POWER BJT

供應商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
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更多2N6285供應商更新時間2026-1-18 14:14:00

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