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2N6059 | NPN DARLINGTON TRANSISTOR DARLINGTON 12 AMPERE COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS 60-100 VOLTS 150 WATTS ...designed lor general-purpose power amplifier and low frequency switching applications FEATURES: * Monolithic Construction with Butt-in Base-Emitter Shunt Resistors. * High DC Current Gain - 文件：77.06 Kbytes 頁數(shù)：1 Pages | NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體公司 | NJSEMI | |
2N6059 | Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION ·With TO-3 package ·High current ;high dissipation ·DARLINGTON ·Complement to type 2N5883;2N5884 APPLICATIONS ·They are intended for use in power linear and low frequency switching applications 文件：113.7 Kbytes 頁數(shù)：3 Pages | SAVANTIC | SAVANTIC | |
2N6059 | Power Transistors Power Transistors 文件：347.98 Kbytes 頁數(shù)：8 Pages | ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分類制造商 | ETC | |
2N6059 | SILICON NPN POWER DARLINGTON TRANSISTOR DESCRIPTION The 2N6059 is a silicon Epitaxial-Base NPN transistor in monolithic Darlington configuration mounted in Jedec TO-3 metal case. It is inteded for use in power linear and low frequency switching applications. ■ STMicrolectronics PREFERRED SALESTYPE ■ HIGH GAIN ■ NPN DARL 文件：64.959 Kbytes 頁數(shù)：4 Pages | STMICROELECTRONICS 意法半導(dǎo)體 | STMICROELECTRONICS | |
2N6059 | SILICON MULTI-EPITAXIAL NPN TRANSISTOR ? High Current Capability. ? Hermetic TO3 Metal package. ? Screening Options Available 文件：185.99 Kbytes 頁數(shù)：3 Pages | TTELEC | TTELEC | |
2N6059 | SILICON NPN POWER DARLINGTON TRANSISTOR 文件：45.48 Kbytes 頁數(shù)：4 Pages | STMICROELECTRONICS 意法半導(dǎo)體 | STMICROELECTRONICS | |
2N6059 | Silicon NPN Power Transistors 文件：132.11 Kbytes 頁數(shù)：3 Pages | ISC 無錫固電 | ISC | |
2N6059 | Silicon NPN Power Transistors 文件：115.28 Kbytes 頁數(shù)：3 Pages | SAVANTIC | SAVANTIC | |
2N6059 | Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO3 文件：16.32 Kbytes 頁數(shù)：1 Pages | SEME-LAB | SEME-LAB | |
2N6059 | SILICON MULTI-EPITAXIAL NPN TRANSISTOR 文件：185.99 Kbytes 頁數(shù)：3 Pages | SEME-LAB | SEME-LAB |
晶體管資料
- 型號：
- 別名：
三極管、晶體管、晶體三極管
- 生產(chǎn)廠家：
- 制作材料：
Si-N+Darl+Di
- 性質(zhì)：
低頻或音頻放大 （LF）_開關(guān)管 （S）_功率放大 （L
- 封裝形式：
直插封裝
- 極限工作電壓：
100V
- 最大電流允許值：
12A
- 最大工作頻率：
<1MHZ或未知
- 引腳數(shù)：
2
- 可代換的型號：
BDV65A,BDW83C,BDX65B,BDX67B,BDX87C,FH9D,MJ4035,TIP141,TIP642,2SC1830,2SD685,
- 最大耗散功率：
150W
- 放大倍數(shù)：
β>750
- 圖片代號：
E-44
- vtest：
100
- htest：
999900
- atest：
12
- wtest：
150
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號：
2N6059
- 制造商：
STMicroelectronics
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個
- 包裝：
剪切帶（CT）帶盒（TB）
- 晶體管類型：
NPN - 達(dá)林頓
- 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降（最大值）：
3V @ 120mA，12A
- 電流 - 集電極截止（最大值）：
1mA
- 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：
750 @ 6A，3V
- 頻率 - 躍遷：
4MHz
- 工作溫度：
200°C（TJ）
- 安裝類型：
底座安裝
- 封裝/外殼：
TO-204AA，TO-3
- 供應(yīng)商器件封裝：
TO-3
- 描述：
TRANS NPN DARL 100V 12A TO3
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
25+ |
3000 |
公司現(xiàn)貨庫存 |
詢價 | ||||
25+ |
3000 |
公司現(xiàn)貨庫存 |
詢價 | ||||
STMicroelectronics |
25+ |
N/A |
11543 |
正規(guī)渠道,免費送樣。支持賬期,BOM一站式配齊 |
詢價 | ||
24+ |
TO-3 |
10000 |
全新 |
詢價 | |||
SOLIDSTATE |
24+/25+ |
490 |
原裝正品現(xiàn)貨庫存價優(yōu) |
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專業(yè)鐵帽 |
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