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    2N6109
    POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON
    
Complementary Silicon Plastic Power Transistors
These devices are designed for use in general?purpose amplifier and switching applications.
Features
? DC Current Gain Specified to 7.0 Amperes
    hFE = 30?150 @ IC
           = 3.0 Adc ? 2N6111, 2N6288
           = 2.3 (Min) @ IC = 7.0 Adc ? 
    文件：149.27 Kbytes 頁數(shù)：4 Pages
    ONSEMI
    安森美半導(dǎo)體
    

    2N6109
    EPITAXIAL-BASE, SILICON N-P-N AND P-N-P VERSAWATT TRANSISTORS
    
Epitaxial-Base, Silicon NPN and PNP VERSAWATT Transistors
General-Purpose Medium-Power Types for Switching and Amplifier Applications
    文件：101.31 Kbytes 頁數(shù)：3 Pages
    BOCA
    博卡
    

    2N6109
    PNP PLASTIC POWER TRANSISTOR
    
PNP PLASTIC POWER TRANSISTOR
General Purpose Amplifier and Switching Application
    文件：255.03 Kbytes 頁數(shù)：3 Pages
    CDIL
    

    2N6109
    NPN SILICON TRANSISTOR
    
DESCRIPTION
The CENTRAL SEMICONDUCTOR 2N5294, 5296 and 5298 types are silicon NPN transistors that are manufactured by the epitaxial base process and designed for applications that require power amplifier and medium switching capablilites.
    文件：71.78 Kbytes 頁數(shù)：1 Pages
    CENTRAL
    

    2N6109
    COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS
    
DESCRIPTION:
The CENTRAL SEMICONDUCTOR 2N6107, 2N6288
series types are complementary silicon power transistors,
manufactured by the epitaxial base process, designed
for general purpose power amplifier and switching
applications.


    文件：178.71 Kbytes 頁數(shù)：3 Pages
    CENTRAL
    

    2N6109
    POWER TRANSISTORS(7A,40W)
    
2N6107,2N6109,2N6111 -- >PNP

2N6288,2N6290,2N6292  --> NPN


7A 30 - 70 Volts 40 Watts

 
    文件：171.37 Kbytes 頁數(shù)：4 Pages
    MOSPEC
    統(tǒng)懋
    

    2N6109
    Complementary Silicon Plastic Power Transistor
    
Description:
These devices are designed for use in general?purpose amplifier and switching applications.

Features:
? DC Current Gain Specified to 7A hfe = 30?150 @ Ic
? Collector?Emitter Sustaining Voltage ? Vceo(sus) = 50 V DC (Min)
? High Current Gain ? Bandwidth Product ? ft = 10MHz (Min
    文件：363.25 Kbytes 頁數(shù)：4 Pages
    MULTICOMP
    易絡(luò)盟
    

    2N6109
    Complementary Power Transistors
    
[multicomp]
Features:
? Collector-Emitter sustaining voltage-
    VCEO(sus) = 50V (Minimum) - 2N6109, 2N6290.
? DC current gain specified to 7.0 Amperes
    hFE = 2.3 (Minimum) at IC = 7.0A - 2N6109, 2N6290.
? Complementary Silicon Plastic Power Transistors.
    文件：365.83 Kbytes 頁數(shù)：6 Pages
    ETCList of Unclassifed Manufacturers
    未分類制造商
    

    2N6109
    Silicon PNP Power Transistors
    
DESCRIPTION
? With TO-220 package
? Complement to NPN type: 2N6288; 2N6290 ;2N6292
APPLICATIONS
? Power amplifier and switching circuits applications
    文件：135.17 Kbytes 頁數(shù)：3 Pages
    ISC
    無錫固電
    

    2N6109
    COMPLEMENTARY SILICON PLASTIC POWER TRANSISTORS
    
Epitaxial-Base, Silicon NPN and PNP VERSAWATT Transistors
    文件：297.65 Kbytes 頁數(shù)：3 Pages
    NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.
    新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體公司
    

    
            
    
		
        
    
            
    
                
    晶體管資料
    
            
    
            
      
				
    • 型號：
      2N6109

    • 別名：
      三極管、晶體管、晶體三極管
    • 生產(chǎn)廠家：
    • 制作材料：
      Si-PNP
    • 性質(zhì)：
      低頻或音頻放大 （LF）_開關(guān)管 （S）_功率放大 （L
    • 封裝形式：
      直插封裝
    • 極限工作電壓：
      60V
    • 最大電流允許值：
      7A
    • 最大工作頻率：
      >10MHZ
    • 引腳數(shù)：
      3
    • 可代換的型號：
      BD244A,BD544A,BD798,BD808,
    • 最大耗散功率：
      40W
    • 放大倍數(shù)：
    • 圖片代號：
      B-10
    • vtest：
      60
    • htest：
      10000100
    • atest：
      7
    • wtest：
      40
    
            
    
        
    
		
        
    
            
    
                
    產(chǎn)品屬性
    
            
    
            
      
            	
    • 產(chǎn)品編號：
      2N6109
    • 制造商：
      onsemi
    • 類別：
      分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個
    • 包裝：
      散裝
    • 晶體管類型：
      PNP
    • 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降（最大值）：
      3.5V @ 3A，7A
    • 電流 - 集電極截止（最大值）：
      1mA
    • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：
      30 @ 2.5A，4V
    • 頻率 - 躍遷：
      10MHz
    • 工作溫度：
      -65°C ~ 150°C（TJ）
    • 安裝類型：
      通孔
    • 封裝/外殼：
      TO-220-3
    • 供應(yīng)商器件封裝：
      TO-220
    • 描述：
      TRANS PNP 50V 7A TO220
    
            
    
        
    
            
    供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
    
                
    



    ONSEMI/安森美
    		

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    ONSEMI
    		

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    正規(guī)渠道,免費送樣。支持賬期,BOM一站式配齊
    		
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    24+
    		

    TO-220
    		

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      <strike id="6dxzi"><object id="6dxzi"><label id="6dxzi"></label></object></strike>
      

        <track id="6dxzi"><b id="6dxzi"></b></track>
      <th id="6dxzi"><input id="6dxzi"></input></th>
      

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