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Power Transistors Power Transistors 文件：347.98 Kbytes 頁數(shù)：8 Pages | ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分類制造商 | ETC | ||
COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON HIGH-POWER TRANSISTORS ... designed for general-purpose power amplifier and switching applications. ● Low Collector-Emitter Saturation Voltage - VCE(sat) = 1.0 Vdc (Max) @ IC = 5.0 Adc ● Low Leakage Current - ICEX = 0.5 mAdc (Max) @ Rated Voltage ● Excellent DC Cu 文件：300.72 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages | NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新澤西半導體新澤西半導體公司 | NJSEMI | ||
SI NPN POWER BJT COMPLEMENTARY SILICON HIGH-POWER TRANSISTORS ... designed for general-purpose power amplifier and switching applications. ● Low Collector-Emitter Saturation Voltage - VCE(sat) = 1.0 Vdc (Max) @ IC = 5.0 Adc ● Low Leakage Current - ICEX = 0.5 mAdc (Max) @ Rated Voltage ● Excellent DC Cu 文件：113.45 Kbytes 頁數(shù)：1 Pages | NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新澤西半導體新澤西半導體公司 | NJSEMI | ||
POWER TRANSISTORS(10A,150W) 2N5875(PNP) 2N5876(PNP) 2N5877(NPN) 2N5878(NPN) 文件：124.69 Kbytes 頁數(shù)：3 Pages | MOSPEC 統(tǒng)懋 | MOSPEC | ||
Power Transistors Power Transistors 文件：347.98 Kbytes 頁數(shù)：8 Pages | ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分類制造商 | ETC | ||
COMPLEMENTARY SILICON HIGH-POWER TRANSISTORS General-Purpose Power Amplifier and Switching Applications FEATURES: * Low Collector-Emitter Saturation Voltage - VCE(SAT) = 1.0V(Max.) @ IC = 7.0A * Execllent DC Current Gain - hFE = 10 ~ 100 @ IC = 6.0 A 文件：186.39 Kbytes 頁數(shù)：4 Pages | BOCA 博卡 | BOCA | ||
POWER TRANSISTORS(15A,160W) General-Purpose Power Amplifier and Switching Applications FEATURES: * Low Collector-Emitter Saturation Voltage - VCE(SAT) = 1.0V(Max.) @ IC = 7.0A * Execllent DC Current Gain - hFE = 10 ~ 100 @ IC = 6.0 A 文件：180.43 Kbytes 頁數(shù)：4 Pages | MOSPEC 統(tǒng)懋 | MOSPEC | ||
COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON HIGH-POWER TRANSISTORS ... designed for general-purpose power amplifier and switching applications. ● Collector-Emitter Sustaining Voltage - VCEO(sus) = 60 Vdc(Min) - 2N5879, 2N5881 = 60 Vdc(Min) - 2N5880, 2N5882 ● DC Current Gain - hFE = 20 文件：171.42 Kbytes 頁數(shù)：1 Pages | NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新澤西半導體新澤西半導體公司 | NJSEMI | ||
Power Transistors Power Transistors 文件：347.98 Kbytes 頁數(shù)：8 Pages | ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分類制造商 | ETC | ||
Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION ? With TO-3 package ? Low collector saturation voltage ? Complement to type 2N5881 2N5882 APPLICATIONS ? For general-purpose power amplifier and switching applications 文件：131.37 Kbytes 頁數(shù)：3 Pages | ISC 無錫固電 | ISC |
晶體管資料
- 型號：
- 別名：
三極管、晶體管、晶體三極管
- 生產(chǎn)廠家：
- 制作材料：
Si-PNP
- 性質(zhì)：
低頻或音頻放大 （LF）_開關(guān)管 （S）_功率放大 （L
- 封裝形式：
直插封裝
- 極限工作電壓：
60V
- 最大電流允許值：
15A
- 最大工作頻率：
>4MHZ
- 引腳數(shù)：
2
- 可代換的型號：
BD316,BD746A,BDW52A,2N4398,2N5683,2N6029,2N6030,2N6031,3CK015C,
- 最大耗散功率：
160W
- 放大倍數(shù)：
- 圖片代號：
E-44
- vtest：
60
- htest：
4000100
- atest：
15
- wtest：
160
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號：
2N5879
- 制造商：
Microchip Technology
- 類別：
分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個
- 包裝：
散裝
- 描述：
PNP POWER TRANSISTOR SILICON AMP
| 供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
MOT |
24+ |
TO-3 |
10000 |
詢價 | |||
Microsemi |
1942+ |
N/A |
908 |
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詢價 | ||
MICROSEMI |
25+ |
SMD |
96 |
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詢價 | ||
ON/安森美 |
23+ |
TO-3 |
50000 |
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨 |
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MOTOROLA/摩托羅拉 |
23+ |
TO-3 |
5000 |
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Microsemi Corporation |
2022+ |
- |
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詢價 | ||
TI |
25+ |
TO-3 |
20948 |
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TI |
25+ |
TO-3 |
21000 |
正規(guī)渠道,免費送樣。支持賬期,BOM一站式配齊 |
詢價 | ||
MOTOROLA |
24+ |
CAN3 |
1200 |
原裝現(xiàn)貨假一罰十 |
詢價 | ||
MOTOROLA |
專業(yè)鐵帽 |
CAN3 |
1000 |
原裝鐵帽專營,代理渠道量大可訂貨 |
詢價 |
