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首頁 >2N5881>規(guī)格書列表

型號	下載訂購	功能描述	制造商上傳企業(yè)	LOGO
2N5881	文件：186.39 Kbytes Page：4 Pages	COMPLEMENTARY SILICON HIGH-POWER TRANSISTORS General-Purpose Power Amplifier and Switching Applications FEATURES: * Low Collector-Emitter Saturation Voltage - VCE(SAT) = 1.0V(Max.) @ IC = 7.0A * Execllent DC Current Gain - hFE = 10 ~ 100 @ IC = 6.0 A 文件：186.39 Kbytes 頁數(shù)：4 Pages	BOCA 博卡	BOCA
2N5881	文件：180.43 Kbytes Page：4 Pages	POWER TRANSISTORS(15A,160W) General-Purpose Power Amplifier and Switching Applications FEATURES: * Low Collector-Emitter Saturation Voltage - VCE(SAT) = 1.0V(Max.) @ IC = 7.0A * Execllent DC Current Gain - hFE = 10 ~ 100 @ IC = 6.0 A 文件：180.43 Kbytes 頁數(shù)：4 Pages	MOSPEC 統(tǒng)懋	MOSPEC
2N5881	文件：347.98 Kbytes Page：8 Pages	Power Transistors Power Transistors 文件：347.98 Kbytes 頁數(shù)：8 Pages	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分類制造商	ETC
2N5881	文件：131.29 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION ? With TO-3 package ? Low collector saturation voltage ? Complement to type 2N5879 2N5880 APPLICATIONS ? For general-purpose power amplifier and switching applications 文件：131.29 Kbytes 頁數(shù)：3 Pages	ISC 無錫固電	ISC
2N5881	文件：118.24 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION ? With TO-3 package ? Low collector saturation voltage ? Complement to type 2N5879 2N5880 APPLICATIONS ? For general-purpose power amplifier and switching applications 文件：118.24 Kbytes 頁數(shù)：3 Pages	JMNIC 錦美電子	JMNIC
2N5881	文件：171.42 Kbytes Page：1 Pages	COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON HIGH-POWER TRANSISTORS ... designed for general-purpose power amplifier and switching applications. ● Collector-Emitter Sustaining Voltage - VCEO(sus) = 60 Vdc(Min) - 2N5879, 2N5881 = 60 Vdc(Min) - 2N5880, 2N5882 ● DC Current Gain - hFE = 20 文件：171.42 Kbytes 頁數(shù)：1 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新澤西半導體新澤西半導體公司	NJSEMI
2N5881	文件：112.74 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION ? With TO-3 package ? Low collector saturation voltage ? Complement to type 2N5879 2N5880 APPLICATIONS ? For general-purpose power amplifier and switching applications 文件：112.74 Kbytes 頁數(shù)：3 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
2N5881	文件：114.32 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors 文件：114.32 Kbytes 頁數(shù)：3 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
2N5881	文件：15.52 Kbytes Page：1 Pages	Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO3 文件：15.52 Kbytes 頁數(shù)：1 Pages	SEME-LAB	SEME-LAB
2N5881	文件：118.24 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors 文件：118.24 Kbytes 頁數(shù)：3 Pages	JMNIC 錦美電子	JMNIC

晶體管資料

型號：
2N5881
別名：
三極管、晶體管、晶體三極管
生產(chǎn)廠家：
制作材料：
Si-NPN
性質(zhì)：
低頻或音頻放大（LF）_開關(guān)管（S）_功率放大（L
封裝形式：
直插封裝
極限工作電壓：
80V
最大電流允許值：
15A
最大工作頻率：
>4MHZ
引腳數(shù)：
2
可代換的型號：
BD315,BD745A,BDW51A,2N5302,2N5685,2N5620,2N5621,2N5622,2N5623,2N5624,2N5625,2N5626,2N5627,2N5628,2N5629,2N5630,2N5631,3CDA74A,
最大耗散功率：
160W
放大倍數(shù)：
圖片代號：
E-44
vtest：
80
htest：
4000100
atest：
15
wtest：
160

產(chǎn)品屬性

產(chǎn)品編號：
2N5881
制造商：
Microchip Technology
類別：
分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個
包裝：
卷帶（TR）
晶體管類型：
NPN
描述：
TRANS NPN 60V 15A

供應商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
深圳市一線半導體有限公司	2N5881	MOT	24+	TO-3	10000		詢價
上海金慶電子技術(shù)有限公司	2N5881	TI	新		313	全新原裝貨期兩周	詢價
深圳市昊創(chuàng)電子有限公司	2N5881	MOTOROLA		CAN	1679	專營鐵帽CANCDIP	詢價
深圳市艾宇欣科技有限公司	2N5881	Microsemi	1942+	N/A	908	加我qq或微信，了解更多詳細信息,體驗一站式購物	詢價
深圳市科雨電子有限公司	2N5881	MICROSEMI	25+	SMD	96	就找我吧!--邀您體驗愉快問購元件!	詢價
標準國際(香港)有限公司	2N5881	2N5881	25+	73	73		詢價
深圳市鵬順微電子科技有限公司	2N5881	Microsemi Corporation	2022+	-	38550	全新原裝支持表配單中國著名電子元器件獨立分銷	詢價
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深圳市科恒偉業(yè)電子有限公司	2N5881	MOTOROLA/摩托羅拉	2450+	TO-2	6540	原裝現(xiàn)貨或訂發(fā)貨1-2周	詢價

更多2N5881供應商更新時間2026-1-19 16:30:00

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