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WSB5508L-2SLASHTR	文件：621.97 Kbytes Page：3 Pages	Middle Power Schottky Barrier Diode 文件：621.97 Kbytes 頁數：3 Pages	WILLSEMIWill Semiconductor Co.,Ltd. 韋爾股份上海韋爾半導體股份有限公司	WILLSEMI
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WSB5511M-2/TR	文件：178.13 Kbytes Page：3 Pages	絲?。?a target="_blank" title="Marking" href="/.eca/marking.html">.ECA；Package：SMA(DO-214AC)；3A Schottky Barrier Diode 文件：178.13 Kbytes 頁數：3 Pages	WILLSEMIWill Semiconductor Co.,Ltd. 韋爾股份上海韋爾半導體股份有限公司	WILLSEMI
WSB5511M-2SLASHTR	文件：178.13 Kbytes Page：3 Pages	絲?。?a target="_blank" title="Marking" href="/.eca/marking.html">.ECA；Package：SMA(DO-214AC)；3A Schottky Barrier Diode 文件：178.13 Kbytes 頁數：3 Pages	WILLSEMIWill Semiconductor Co.,Ltd. 韋爾股份上海韋爾半導體股份有限公司	WILLSEMI

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技術參數

應用：
汽車級AEC-Q200
成分：
金屬元素
電阻：
100 μOhms
容差：
±5%
功率 (W)：
36W
溫度系數：
±10ppm/°C
工作溫度：
-65°C ~ 170°C
安裝類型：
分流器夾具，60mm 間距

供應商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
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