MOSFET

N溝道增強型功率MOSFET采用Trench工藝針對更低Rds(on)和更高載流能力進(jìn)行優(yōu)化。該類產(chǎn)品非常適合要求高性能和耐用性的中低頻應(yīng)用，如電池保護(hù)等。 1.較低的導(dǎo)通損耗和開關(guān)損耗\n2.雪崩能力強\n3.100%雪崩測試;

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威兆半導(dǎo)體

N-Channel MOSFET uses advanced trench technology

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DOINGTER

杜因特

MOSFET

N溝道增強型功率MOSFET采用Trench工藝針對更低Rds(on)和更高載流能力進(jìn)行優(yōu)化。該類產(chǎn)品非常適合要求高性能和耐用性的中低頻應(yīng)用，如電池保護(hù)等。 1.較低的導(dǎo)通損耗和開關(guān)損耗\n2.雪崩能力強\n3.100%雪崩測試;

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威兆半導(dǎo)體

N-Channel MOSFET

? Enhancement mode\n? Very low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 V\n? Fast Switching and High efficiency\n? 100% Avalanche Tested\n? Pb-free lead plating; RoHS compliant;

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威兆半導(dǎo)體