Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

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VISHAYVishay Siliconix

威世威世科技公司

Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.59 V at IF = 5 A

Trench MOS Schottky technology\nLow forward voltage drop, low power losses\nHigh efficiency operation;

Vishay

威世

Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Low VF = 0.59 V at IF = 5 A

Trench MOS Schottky technology\nLow forward voltage drop, low power losses\nHigh efficiency operation;

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肖特基二極管與整流器 20 Amp 150 Volt Dual TrenchMOS

Vishay

威世

Package：TO-262-3，長引線，I2Pak，TO-262AA；包裝：管件 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 二極管 - 整流器 - 陣列 描述：DIODE ARRAY SCHOTTKY 150V TO262

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Package：TO-262-3，長引線，I2Pak，TO-262AA；包裝：卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 二極管 - 整流器 - 陣列 描述：DIODE SCHOTTKY 20A 150V TO-262AA

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Package：TO-262-3，長引線，I2Pak，TO-262AA；包裝：管件 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 二極管 - 整流器 - 陣列 描述：DIODE SCHOTTKY 20A 150V TO-262AA

Vishay General Semiconductor - Diodes Division