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    VI20150C-E3/4W

    Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.59 V at IF = 5 A

    Ultra Low VF = 0.59 V at IF = 5 A FEATURES ? Trench MOS Schottky technology ? Low forward voltage drop, low power losses ? High efficiency operation ? Solder dip 275 °C max. 10 s, per JESD 22-B106 ? AEC-Q101 qualified ? Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC and in accordanc

    文件:168.29 Kbytes 頁(yè)數(shù):5 Pages

    VISHAYVishay Siliconix

    威世威世科技公司

    VI20150C-E3/4W

    Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

    文件:163.4 Kbytes 頁(yè)數(shù):5 Pages

    VISHAYVishay Siliconix

    威世威世科技公司

    VI20150C-E3/4W

    肖特基二極管與整流器 20 Amp 150 Volt Dual TrenchMOS

    Vishay

    威世

    VI20150C-E3/4W

    Package:TO-262-3,長(zhǎng)引線,I2Pak,TO-262AA;包裝:管件 類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 二極管 - 整流器 - 陣列 描述:DIODE ARRAY SCHOTTKY 150V TO262

    Vishay General Semiconductor - Diodes Division

    Vishay General Semiconductor - Diodes Division

    產(chǎn)品屬性

    • 產(chǎn)品編號(hào):

      VI20150C-E3/4W

    • 制造商:

      Vishay General Semiconductor - Diodes Division

    • 類別:

      分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 二極管 - 整流器 - 陣列

    • 系列:

      TMBS?

    • 包裝:

      管件

    • 二極管配置:

      1 對(duì)共陰極

    • 二極管類型:

      肖特基

    • 電流 - 平均整流 (Io)(每二極管):

      10A

    • 速度:

      快速恢復(fù) =< 500ns,> 200mA(Io)

    • 工作溫度 - 結(jié):

      -55°C ~ 150°C

    • 安裝類型:

      通孔

    • 封裝/外殼:

      TO-262-3,長(zhǎng)引線,I2Pak,TO-262AA

    • 供應(yīng)商器件封裝:

      TO-262AA

    • 描述:

      DIODE ARRAY SCHOTTKY 150V TO262

    供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
    VISHAY/威世
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    Vishay(威世)
    2021/2022+
    標(biāo)準(zhǔn)封裝
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    TO262
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    原廠授權(quán)一級(jí)代理、全球訂貨優(yōu)勢(shì)渠道、可提供一站式BO
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    VISHAY/威世
    18+
    TO262
    6500
    一級(jí)代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力
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    Vishay General Semiconductor -
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    TO-262-3 長(zhǎng)引線 I?Pak TO-26
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    更多VI20150C-E3/4W供應(yīng)商 更新時(shí)間2026-1-21 16:51:00

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