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VFT1060C | Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier FEATURES ? Trench MOS Schottky technology ? Low forward voltage drop, low power losses ? High efficiency operation ? Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 245 °C (for TO-263AB package) ? Solder bath temperature 275 °C maximum, 10 s, per JESD 22-B106 (for TO-220AB, ITO-220AB and 文件：79.08 Kbytes 頁數(shù)：4 Pages | VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司 | VISHAY | |
VFT1060C | Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier FEATURES ? Trench MOS Schottky technology ? Low forward voltage drop, low power losses ? High efficiency operation ? Solder bath temperature 275 °C max. 10 s, per JESD 22-B106 ? Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 TYPICAL APPLICATION 文件：127.74 Kbytes 頁數(shù)：4 Pages | VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司 | VISHAY | |
Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier FEATURES ? Trench MOS Schottky technology ? Low forward voltage drop, low power losses ? High efficiency operation ? Solder bath temperature 275 °C max. 10 s, per JESD 22-B106 ? Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 TYPICAL APPLICATION 文件：127.74 Kbytes 頁數(shù)：4 Pages | VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司 | VISHAY | ||
Trench MOS Schottky technology FEATURES ? Trench MOS Schottky technology ? Low forward voltage drop, low power losses ? High efficiency operation ? Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 245 °C (for TO-263AB package) ? Solder bath temperature 275 °C maximum, 10 s, per JESD 22-B106 (for TO-220AB, ITO-220AB, an 文件：156.9 Kbytes 頁數(shù)：6 Pages | VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司 | VISHAY | ||
Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier FEATURES ? Trench MOS Schottky technology ? Low forward voltage drop, low power losses ? High efficiency operation ? Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 245 °C (for TO-263AB package) ? Solder bath temperature 275 °C maximum, 10 s, per JESD 22-B106 (for TO-220AB, ITO-220AB, 文件：202.1 Kbytes 頁數(shù)：6 Pages | VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司 | VISHAY | ||
Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier FEATURES ? Trench MOS Schottky technology ? Low forward voltage drop, low power losses ? High efficiency operation ? Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 245 °C (for TO-263AB package) ? Solder bath temperature 275 °C maximum, 10 s, per JESD 22-B106 (for TO-220AB, ITO-220AB and 文件：79.08 Kbytes 頁數(shù)：4 Pages | VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司 | VISHAY | ||
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Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：173.74 Kbytes 頁數(shù)：5 Pages | VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司 | VISHAY | ||
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VFT1060C | Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.39 V at IF = 2.5 A 分立 Trench MOS Schottky technology\nLow forward voltage drop, low power losses\nHigh efficiency operation; | Vishay 威世 | Vishay |
詳細(xì)參數(shù)
- 型號(hào)：
VFT1060C
- 制造商：
VISHAY
- 制造商全稱：
Vishay Siliconix
- 功能描述：
Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
VISHAY/威世 |
2022+ |
50 |
全新原裝 貨期兩周 |
詢價(jià) | |||
VISHAY/威世 |
23+ |
TO-220F |
50000 |
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨 |
詢價(jià) | ||
VISHAY/威世 |
23+ |
TO-220F |
50000 |
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨 |
詢價(jià) | ||
VISHAY/威世 |
23+ |
ITO-220A |
11200 |
原廠授權(quán)一級(jí)代理、全球訂貨優(yōu)勢(shì)渠道、可提供一站式BO |
詢價(jià) | ||
VISHAY/威世 |
11+ |
TO-220F |
9000 |
一級(jí)代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力 |
詢價(jià) | ||
VISHAY/威世 |
24+ |
TO-220F |
60000 |
詢價(jià) | |||
VISHAY |
原廠封裝 |
9800 |
原裝進(jìn)口公司現(xiàn)貨假一賠百 |
詢價(jià) | |||
VISHAY |
17+ |
TO220F-3 |
6200 |
詢價(jià) | |||
VISHAY/威世通 |
20+ |
TO220F-3 |
38560 |
原裝優(yōu)勢(shì)主營型號(hào)-可開原型號(hào)增稅票 |
詢價(jià) | ||
VISHAY |
25+ |
TO-220 |
3675 |
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詢價(jià) |
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